ແຜ່ນ silicon carbide ຜູກມັດ silicon nitride

ແຜ່ນ silicon carbide bonded ຊິລິໂຄນ nitride ຮູບພາບແນະນໍາ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Si3N4 ຜູກມັດ SiC ເປັນວັດສະດຸ refractory ຊະນິດໃຫມ່, ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ. ອຸນຫະພູມການນໍາໃຊ້ແມ່ນ 1400 C. ມັນມີສະຖຽນລະພາບຄວາມຮ້ອນທີ່ດີກວ່າ, ການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ເຊິ່ງດີກວ່າວັດສະດຸ refractory ທໍາມະດາ. ມັນຍັງມີການຕ້ານການ.-ການຜຸພັງ, ທົນທານຕໍ່ corrosion ສູງ, ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່, ຄວາມເຂັ້ມແຂງງໍສູງ. ມັນສາມາດຕ້ານ corrosion ແລະ scouring, ຈະບໍ່ເປັນມົນລະພິດແລະຄວາມຮ້ອນ conduction ໄວໃນໂລຫະ molten ເຊັ່ນ AL, Pb, Zn, Cu ect.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

Silicon nitride ຜູກມັດ silicon carbide

Si3N4 ຜູກມັດອຸປະກອນການ refractory ເຊລາມິກ SiC, ຖືກປະສົມກັບຝຸ່ນ SIC ອັນບໍລິສຸດສູງແລະຝຸ່ນ Silicon, ຫຼັງຈາກຫຼັກສູດການຫລໍ່ລື່ນ, ປະຕິກິລິຍາ sintered ພາຍໃຕ້ 1400 ~ 1500 ° C.ໃນລະຫວ່າງການ sintering, ການຕື່ມ Nitrogen ບໍລິສຸດສູງເຂົ້າໄປໃນ furnace, ຫຼັງຈາກນັ້ນຊິລິໂຄນຈະປະຕິກິລິຍາກັບໄນໂຕຣເຈນແລະຜະລິດ Si3N4, ດັ່ງນັ້ນ Si3N4 ຜູກມັດວັດສະດຸ SiC ປະກອບດ້ວຍ silicon nitride (23%) ແລະ silicon carbide (75%) ເປັນວັດຖຸດິບຕົ້ນຕໍ. , ປະສົມກັບວັດສະດຸອິນຊີ, ແລະຮູບຮ່າງໂດຍການປະສົມ, extrusion ຫຼື pouring, ຫຼັງຈາກນັ້ນເຮັດໃຫ້ແຫ້ງແລະໄນໂຕຣເຈນ.

ຄຸນນະສົມບັດແລະຂໍ້ໄດ້ປຽບ:

1.Hຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ
2.ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກ
3.High ກົນຈັກມີຄວາມເຂັ້ມແຂງແລະການຕໍ່ຕ້ານການຂັດ
4.Excellent ປະສິດທິພາບພະລັງງານແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion

ພວກເຮົາສະຫນອງຄຸນນະພາບສູງແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ machined ອົງປະກອບ ceramic NSiC ທີ່ປຸງແຕ່ງໂດຍ

1.Slip Casting
2.Extruding
3.Uni Axial ກົດ
4.Isostatic ກົດ

ເອກະສານເອກະສານ

> ອົງປະກອບທາງເຄມີ	Sic	75%
	Si3N4	≥23%
	ຟຣີ Si	0%
ຄວາມໜາແໜ້ນ (g/cm3)		2.70～2.80
ຄວາມຮູຂຸມຂົນເຫັນໄດ້ຊັດເຈນ (%)		12～15
ຄວາມແຮງຂອງງໍຢູ່ທີ່ 20 ℃ (MPa)		180～190
ຄວາມແຮງຂອງງໍຢູ່ທີ່ 1200 ℃ (MPa)		207
ຄວາມແຮງຂອງງໍຢູ່ທີ່ 1350 ℃ (MPa)		210
ຄວາມແຮງບີບອັດຢູ່ທີ່ 20 ℃ (MPa)		580
ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ 1200 ℃ (w/mk)		19.6
ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຢູ່ທີ່ 1200 ℃(x 10-6/C)		4.70
ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ		ເລີດ
ສູງສຸດ.ອຸນຫະພູມ (℃)		1600

ແຜ່ນ silicon carbide ຜູກມັດຊິລິໂຄນ nitride1

ແຜ່ນ silicon carbide ຜູກມັດ silicon nitride

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ເປັນຜູ້ສະຫນອງຊັ້ນນໍາຂອງເຊລາມິກ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະຜູ້ຜະລິດດຽວໃນປະເທດຈີນທີ່ສາມາດສະຫນອງ silicon carbide ceramics ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ (ໂດຍສະເພາະ Recrystallized SiC) ແລະການເຄືອບ CVD SiC.ນອກຈາກນັ້ນ, ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຍັງຫມັ້ນສັນຍາກັບຂົງເຂດເຊລາມິກເຊັ່ນ: ອາລູມິນຽມ, ອາລູມິນຽມ nitride, zirconia, ແລະ silicon nitride, ແລະອື່ນໆ.

ຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍຂອງພວກເຮົາປະກອບມີ: ແຜ່ນ silicon carbide etching, silicon carbide ເຮືອ tow, silicon carbide wafer ເຮືອ (Photovoltaic & Semiconductor), ທໍ່ furnace silicon carbide, paddle silicon carbide cantilever, chucks silicon carbide, silicon carbide beam, Silicon carbide CVC ແລະ coating ການເຄືອບ.ຜະລິດຕະພັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ photovoltaic, ເຊັ່ນ: ອຸປະກອນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, epitaxy, etching, ການຫຸ້ມຫໍ່, ການເຄືອບແລະ furnaces ການແຜ່ກະຈາຍ, ແລະອື່ນໆ.

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາມີອຸປະກອນການຜະລິດທີ່ສົມບູນເຊັ່ນ: molding, sintering, ການປຸງແຕ່ງ, ອຸປະກອນການເຄືອບ, ແລະອື່ນໆ, ເຊິ່ງສາມາດສໍາເລັດການເຊື່ອມຕໍ່ທີ່ຈໍາເປັນທັງຫມົດຂອງການຜະລິດຜະລິດຕະພັນແລະມີການຄວບຄຸມທີ່ສູງຂຶ້ນຂອງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນ;ແຜນການຜະລິດທີ່ດີທີ່ສຸດສາມາດເລືອກໄດ້ຕາມຄວາມຕ້ອງການຂອງຜະລິດຕະພັນ, ເຮັດໃຫ້ຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາແລະໃຫ້ລູກຄ້າມີຜະລິດຕະພັນທີ່ມີການແຂ່ງຂັນຫຼາຍ;ພວກເຮົາສາມາດຈັດຕາຕະລາງການຜະລິດແບບຍືດຫຍຸ່ນແລະມີປະສິດທິພາບໂດຍອີງໃສ່ຄວາມຕ້ອງການການຈັດສົ່ງຄໍາສັ່ງແລະສົມທົບກັບລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄໍາສັ່ງອອນໄລນ໌, ສະຫນອງລູກຄ້າທີ່ມີເວລາການຈັດສົ່ງໄວແລະຮັບປະກັນຫຼາຍຂຶ້ນ.