ການເຄືອບ CVD SiC

ແນະນໍາການເຄືອບ Silicon Carbide 

ການເຄືອບສານເຄມີຂອງພວກເຮົາ (CVD) Silicon Carbide (SiC) ເປັນຊັ້ນທີ່ມີຄວາມທົນທານສູງແລະທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່, ເຫມາະສໍາລັບສະພາບແວດລ້ອມທີ່ຕ້ອງການການກັດກ່ອນແລະການຕໍ່ຕ້ານຄວາມຮ້ອນສູງ.ການເຄືອບ Silicon Carbideຖືກ ນຳ ໃຊ້ເປັນຊັ້ນບາງໆເທິງຊັ້ນຍ່ອຍຕ່າງໆໂດຍຜ່ານຂະບວນການ CVD, ສະເຫນີຄຸນລັກສະນະການປະຕິບັດທີ່ດີຂຶ້ນ.


ຄຸນນະສົມບັດທີ່ສໍາຄັນ

       ● - ຄວາມບໍລິສຸດພິເສດ: ໂອ້ອວດອົງປະກອບອັນບໍລິສຸດຂອງ99.99995%, ຂອງພວກເຮົາການເຄືອບ SiCຫຼຸດຜ່ອນຄວາມສ່ຽງຕໍ່ການປົນເປື້ອນໃນການປະຕິບັດງານຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີທີ່ລະອຽດອ່ອນ.

● - ຄວາມຕ້ານທານສູງສຸດ: ສະແດງໃຫ້ເຫັນຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີເລີດທັງການສວມໃສ່ແລະການກັດກ່ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນສົມບູນແບບສໍາລັບການທ້າທາຍການຕັ້ງຄ່າສານເຄມີແລະ plasma.
● - ຄວາມທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນສູງ: ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ພາຍໃຕ້ອຸນຫະພູມທີ່ຮຸນແຮງເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດຄວາມຮ້ອນທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງມັນ.
● -Dimensional Stability: ຮັກສາຄວາມສົມບູນຂອງໂຄງສ້າງໃນທົ່ວລະດັບຄວາມກ້ວາງຂອງອຸນຫະພູມ, ຍ້ອນຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ.
● - ປັບປຸງຄວາມແຂງ: ມີການຈັດອັນດັບຄວາມແຂງຂອງ40 GPa, ການເຄືອບ SiC ຂອງພວກເຮົາທົນທານຕໍ່ຜົນກະທົບທີ່ສໍາຄັນແລະການຂັດ.
● -Smooth Surface Finish: ສະຫນອງການສໍາເລັດຮູບຄ້າຍຄືກະຈົກ, ຫຼຸດຜ່ອນການຜະລິດອະນຸພາກແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບການດໍາເນີນງານ.


ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

Semicera ການເຄືອບ SiCຖືກນໍາໃຊ້ໃນຂັ້ນຕອນຕ່າງໆຂອງການຜະລິດ semiconductor, ລວມທັງ:

● -ການຜະລິດຊິບ LED
● -ການຜະລິດໂພລີຊິລິຄອນ
● -ການຂະຫຍາຍຕົວ Crystal Semiconductor
● -Silicon ແລະ SiC Epitaxy
● -Oxidation ແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນ (TO&D)

 

ພວກເຮົາສະຫນອງອົງປະກອບທີ່ເຄືອບ SiC ທີ່ຜະລິດຈາກ graphite isostatic ທີ່ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ, ກາກບອນທີ່ມີເສັ້ນໄຍເສີມແລະ 4N recrystallized silicon carbide, ປັບແຕ່ງສໍາລັບເຕົາປະຕິກອນທີ່ມີນ້ໍາຜຶ້ງ,ເຄື່ອງແປງ STC-TCS, ເຄື່ອງສະທ້ອນຫນ່ວຍ CZ, SiC wafer boat, SiCwafer paddle, SiC wafer tube, ແລະ wafer carriers ທີ່ໃຊ້ໃນ PECVD, silicon epitaxy, ຂະບວນການ MOCVD.


ຜົນປະໂຫຍດ

● -Extended Lifespan: ຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຫຼຸດຜ່ອນການ downtime ອຸປະກອນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາ, ເພີ່ມປະສິດທິພາບການຜະລິດໂດຍລວມ.
● - ປັບປຸງຄຸນນະພາບ: ບັນລຸພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ຈໍາເປັນສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ semiconductor, ດັ່ງນັ້ນການຍົກສູງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນ.
● - ປະສິດທິພາບເພີ່ມຂຶ້ນ: ເພີ່ມປະສິດທິພາບຂະບວນການຄວາມຮ້ອນແລະ CVD, ເຮັດໃຫ້ເວລາວົງຈອນສັ້ນລົງແລະຜົນຜະລິດທີ່ສູງຂຶ້ນ.


ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະ
     

● -ໂຄງສ້າງ: FCC β polycrystaline ໄລຍະ, ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນ (111) ຮັດກຸມ
● - ຄວາມຫນາແຫນ້ນ: 3.21 g/cm³
● - ຄວາມແຂງ: 2500 Vickes ແຂງ (500g ໂຫຼດ)
● -Fracture Toughness: 3.0 MPa·m1/2
● -ສຳປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (100–600°C): 4.3 x 10-6k-1
● -Elastic Modulus(1300℃):435 GPA
● -ຄວາມໜາຂອງຟິມທົ່ວໄປ:100 µm
● -Surface Roughness:2-10 µມ


ຂໍ້ມູນຄວາມບໍລິສຸດ (ວັດແທກໂດຍ Glow Discharge Mass Spectroscopy)

ອົງປະກອບ

ppm

ອົງປະກອບ

ppm

Li

< 0.001

Cu

< 0.01

Be

< 0.001

Zn

< 0.05

ອັນ

< 0.04

Ga

< 0.01

P

< 0.01

Ge

< 0.05

S

< 0.04

As

< 0.005

K

< 0.05

In

< 0.01

Ca

< 0.05

Sn

< 0.01

Ti

< 0.005

Sb

< 0.01

V

< 0.001

W

< 0.05

Cr

< 0.05

Te

< 0.01

Mn

< 0.005

Pb

< 0.01

Fe

< 0.05

Bi

< 0.05

Ni

< 0.01

 

 
ໂດຍການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ CVD ທີ່ທັນສະໄຫມ, ພວກເຮົາສະເຫນີໃຫ້ເຫມາະສົມກັບວິທີແກ້ໄຂການເຄືອບ SiCເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການແບບເຄື່ອນໄຫວຂອງລູກຄ້າຂອງພວກເຮົາແລະສະຫນັບສະຫນູນຄວາມກ້າວຫນ້າໃນການຜະລິດ semiconductor.