silicon nitride ທີ່ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນຂອງເຕົາເຜົາ silicon carbide saggar ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນຂະຫນາດໃຫຍ່

Silicon nitride ທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນຂອງ silicon carbide kiln saggar ມີການນໍາຄວາມຮ້ອນຂະຫນາດໃຫຍ່ຮູບພາບທີ່ແນະນໍາ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ພະລັງງານ Semiceraບໍລິສັດ ເທັກໂນໂລຍີ ຈຳກັດ.ເປັນຜູ້ສະຫນອງຊັ້ນນໍາທີ່ມີຄວາມຊ່ຽວຊານໃນເຄື່ອງບໍລິໂພກ wafer ແລະ semiconductor ກ້າວຫນ້າ.ພວກເຮົາມີຄວາມຕັ້ງໃຈທີ່ຈະສະຫນອງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງ, ເຊື່ອຖືໄດ້, ແລະປະດິດສ້າງໃຫ້ກັບການຜະລິດ semiconductor,ອຸດສາຫະກໍາ photovoltaicແລະສາຂາທີ່ກ່ຽວຂ້ອງອື່ນໆ.

ສາຍຜະລິດຕະພັນຂອງພວກເຮົາປະກອບມີຜະລິດຕະພັນ graphite ເຄືອບ SiC/TaC ແລະຜະລິດຕະພັນເຊລາມິກ, ກວມເອົາວັດສະດຸຕ່າງໆເຊັ່ນ: ຊິລິຄອນ carbide, silicon nitride, ແລະອາລູມິນຽມ oxide ແລະອື່ນໆ.

ໃນຖານະເປັນຜູ້ສະຫນອງທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້, ພວກເຮົາເຂົ້າໃຈເຖິງຄວາມສໍາຄັນຂອງເຄື່ອງບໍລິໂພກໃນຂະບວນການຜະລິດ, ແລະພວກເຮົາມຸ່ງຫມັ້ນທີ່ຈະຈັດສົ່ງຜະລິດຕະພັນທີ່ມີມາດຕະຖານທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງທີ່ສຸດເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງລູກຄ້າ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

Silicon nitride ປະສົມປະສານກັບ silicon carbide kiln ມີຄຸນລັກສະນະຂອງຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນທີ່ດີ, ການ deformation ງ່າຍ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແລະອື່ນໆ.

ຕົວຊີ້ວັດການປະຕິບັດຕົ້ນຕໍ

ລາຍການ	ດັດຊະນີ Firebrick	ສະເພາະເຕົາເຜົາ	ດັດຊະນີຂອງຜະລິດຕະພັນຮູບຮ່າງ
porosity ປາກົດຂື້ນ(%)	<16	<16	<14
ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ(g/cm3)	2 2.65	2 2.65	2 2.68
ແຮງບີບອັດຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ(MPa)	2 160	2 170	2 180
ແຮງບິດຢູ່ໃນອຸນຫະພູມຫ້ອງ(1400X:) MPa	2 40	2 45	2 45
ອຸນຫະພູມສູງແຮງບິດ(1400r) MPa	2 50	2 50	2 50
ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ(110CTC)xioVC	<4.18	<4.18	<4.18
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ(1100C)	216	2 16	216
ເຕົາລີດ(°C )	1800	1800	1800
0.2 MPa ອຸນຫະພູມອ່ອນລົງພາຍໃຕ້ການໂຫຼດ(X:)	1600	1600	> 1700
ອຸນຫະພູມການເຮັດວຽກສູງສຸດ(°C)	1550	1550	1550

ຜະລິດຕະພັນໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນລໍ້ grinding ceramic, ຜະລິດຕະພັນອາລູມິນຽມສູງ, ບານ porcelain ອາລູມິນຽມ, ເຕົາເຜົາອຸດສາຫະກໍາ, ceramic ເອເລັກໂຕຣນິກ, porcelain ໄຟຟ້າແຮງດັນສູງ, ເຄື່ອງອະນາໄມ, porcelain ປະຈໍາວັນ, ໂລຫະປະສົມ nitride ແລະ foam ceramics ແລະອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆ.