ພວກເຮົາສາມາດສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະເຊື່ອຖືໄດ້ເຮືອໄປເຊຍກັນ silicon carbide, paddles silicon carbide, ທໍ່ furnace silicon carbideສໍາລັບອຸດສາຫະກໍາ wafer semiconductor 4 ນິ້ວຫາ 6 ນິ້ວ. ຄວາມບໍລິສຸດສາມາດບັນລຸ 99.9% ໂດຍບໍ່ມີການມົນລະພິດ wafer ໄດ້.
ທໍ່ furnace Silicon carbideສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບ: 4-6 ນິ້ວ silicon wafer LTO = ຊິລິກາ, SIPOS = oxy-polysilicon, SI3N4 = ຊິລິຄອນ nitride, PSG = ແກ້ວ phosphosilicon, POLY = polysilicon ການຂະຫຍາຍຕົວຮູບເງົາ.ມັນແມ່ນອາຍແກັສວັດຖຸດິບ (ຫຼືອາຍແກັສແຫຼ່ງຂອງແຫຼວ) ກະຕຸ້ນໂດຍພະລັງງານຄວາມຮ້ອນເພື່ອສ້າງຮູບເງົາແຂງຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງ substrate. ການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີທີ່ມີຄວາມກົດດັນຕ່ໍາແມ່ນດໍາເນີນຢູ່ໃນຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ, ເນື່ອງຈາກຄວາມກົດດັນຕ່ໍາ, ເສັ້ນທາງເສລີ່ຍຂອງໂມເລກຸນອາຍແກັສໂດຍສະເລ່ຍແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ດັ່ງນັ້ນຄວາມສອດຄ່ອງຂອງຮູບເງົາທີ່ປູກແມ່ນດີ, ແລະຊັ້ນໃຕ້ດິນສາມາດຖືກວາງໄວ້ໃນແນວຕັ້ງແລະປະລິມານຂອງ. ການໂຫຼດແມ່ນຂະຫນາດໃຫຍ່, ໂດຍສະເພາະແມ່ນເຫມາະສົມສໍາລັບວົງຈອນປະສົມປະສານຂະຫນາດໃຫຍ່, ອຸປະກອນແຍກ, ເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ອຸປະກອນ optoelectronic ແລະເສັ້ນໄຍ optical ແລະອຸດສາຫະກໍາອື່ນໆຂອງອຸປະກອນພິເສດການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາ.
Semicera Energy Technology Co., Ltd ເປັນມືອາຊີບການຄົ້ນຄວ້າ, ການພັດທະນາ, ການຜະລິດແລະການຂາຍຂອງ silicon carbide ceramic ຜະລິດຕະພັນ. ນັບຕັ້ງແຕ່ການສ້າງຕັ້ງຂອງຕົນໃນປີ 2016, Semicera Energy ໄດ້ mastered ຂະບວນການ molding isostatic pressing, ຂະບວນການ molding ພັນກົດ, ຂະບວນການ molding grouting ແລະຂະບວນການ molding extrusion ສູນຍາກາດ. ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາໃຊ້ 6 ເສັ້ນການຜະລິດ silicon carbide ceramics sintering, ມີ 8 CNC, 6 ເຄື່ອງ grinding precision, ຍັງສາມາດສະຫນອງທ່ານດ້ວຍ silicon carbide ceramics sintered ຜະລິດຕະພັນ, ແຕ່ຍັງສາມາດສະຫນອງ silicon carbide ceramics, alumina ceramics, ອາລູມິນຽມ nitride ceramics, zirconia ceramics ການປຸງແຕ່ງການບໍລິການ .
