ຂາຍເຮືອໄຟຟຼີສເກີ້ຄຸນນະພາບດີ

ສິນຄ້າດີມີຄຸນນະພາບ ຂາຍ Graphite Sagger Crucible Boat ແນະນຳຮູບ

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

WeiTai Energy Technology Co., Ltd. ເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງເຊລາມິກ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະຜູ້ຜະລິດດຽວໃນປະເທດຈີນທີ່ສາມາດສະຫນອງ silicon carbide ceramics ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງພ້ອມໆກັນ (ໂດຍສະເພາະ.Recrystallized SiC) ແລະການເຄືອບ CVD SiC. ນອກຈາກນັ້ນ, ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຍັງຫມັ້ນສັນຍາກັບຂົງເຂດເຊລາມິກເຊັ່ນ: ອາລູມິນຽມ, ອາລູມິນຽມ nitride, zirconia, ແລະ silicon nitride, ແລະອື່ນໆ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

We have might the most state-of-the-art output equipment, experienced and qualified engineers and workers, recogned good quality management systems plus a friendly income workforce pre/ after-sales support for Good Quality Sell Graphite Sagger Crucible Boat, Let's cooperate ຮ່ວມກັນເພື່ອຮ່ວມກັນສ້າງອະນາຄົດທີ່ສວຍງາມ. ພວກເຮົາຍິນດີຕ້ອນຮັບທ່ານຢ່າງຈິງໃຈທີ່ຈະໄປຢ້ຽມຢາມບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຫຼືໂທຫາພວກເຮົາສໍາລັບການຮ່ວມມື!
ພວກເຮົາມີອຸປະກອນການຜະລິດທີ່ທັນສະໃໝທີ່ສຸດ, ວິສະວະກອນ ແລະ ຄົນງານທີ່ມີປະສົບການ ແລະ ມີຄຸນສົມບັດ, ໄດ້ຮັບການຍອມຮັບລະບົບການຄຸ້ມຄອງຄຸນນະພາບທີ່ດີ ບວກກັບແຮງງານທີ່ມີລາຍໄດ້ທີ່ມີຄວາມຊໍານິຊໍານານທີ່ເປັນມິດກັບການສະຫນັບສະຫນູນກ່ອນ / ຫຼັງຈາກການຂາຍ.ຈີນ Graphite Sagger ແລະ Lithium Iron Phosphate, We also have good cooperation relationships with many good manufacturers so that we can present almost all of auto parts and after-sales service with high quality standard, low price level and warmly service to meet demand of customers from different fields and different area.

ເຮືອ SiC (3)
ເຮືອ silicon carbide (8)

ຄຸນສົມບັດຜະລິດຕະພັນ SiC

ອຸນຫະພູມສູງແລະທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງ wafer ແລະຜົນຜະລິດ

SiC ຫມາຍເຖິງ silicon carbide. Silicon carbide (SiC) ແມ່ນເຮັດດ້ວຍດິນຊາຍ quartz, coke ແລະວັດຖຸດິບອື່ນໆໂດຍຜ່ານການ melting furnace ອຸນຫະພູມສູງ. ການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາໃນປະຈຸບັນຂອງ silicon carbide ມີສອງຊະນິດ, ສີດໍາ silicon carbide ແລະສີຂຽວ silicon carbide. ທັງສອງແມ່ນໄປເຊຍກັນ hexagonal, ກາວິທັດສະເພາະຂອງ 3.21g / cm3, micro hardness ຂອງ 2840 ~ 3320kg / mm2.

ຢ່າງຫນ້ອຍ 70 ປະເພດຂອງ crystalline silicon carbide, ເນື່ອງຈາກແຮງໂນ້ມຖ່ວງຕ່ໍາ 3.21g / cm3 ແລະຄວາມທົນທານຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບ bearings ຫຼືວັດຖຸດິບ furnace ອຸນຫະພູມສູງ. ຢູ່ໃນຄວາມກົດດັນໃດໆບໍ່ສາມາດບັນລຸໄດ້, ແລະມີກິດຈະກໍາທາງເຄມີຕ່ໍາຫຼາຍ.

ໃນເວລາດຽວກັນ, ປະຊາຊົນຈໍານວນຫຼາຍໄດ້ພະຍາຍາມທົດແທນຊິລິໂຄນດ້ວຍ silicon carbide ເນື່ອງຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ crush ສູງແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະຈຸບັນສູງ. ບໍ່ດົນມານີ້, ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ semiconductor ອົງປະກອບພະລັງງານສູງ. ໃນຄວາມເປັນຈິງ, substrate silicon carbide ໃນ conductivity ຄວາມຮ້ອນ, ຫຼາຍກ່ວາ 10 ເທົ່າຂອງ substrate sapphire, ສະນັ້ນການນໍາໃຊ້ຂອງ silicon carbide substrate LED ອົງປະກອບ, ມີ conductivity ດີແລະຄວາມຮ້ອນ, ຂ້ອນຂ້າງເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການຜະລິດຂອງ LED ພະລັງງານສູງ.