ບ້ານ
ກ່ຽວກັບພວກເຮົາ
ຜະລິດຕະພັນ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ຄຸນສົມບັດ
FAQs
ຂ່າວ
- ຂ່າວຂອງບໍລິສັດ
- ຂ່າວອຸດສາຫະກໍາ

ບ້ານ
ການເຄືອບ CVD SiC
MOCVD ຊິ້ນສ່ວນ Epitaxial

ໝວດໝູ່

ການເຄືອບ CVD SiC
ການເຄືອບ CVD TaC
ເທກໂນໂລຍີການປິ່ນປົວດ້ານ
Silicon Carbide Ceramic
Semiconductor Quartz
ຜະລິດຕະພັນ Semiconductor Graphite
- Siliconized Graphite
- ອົງປະກອບ isostatic Graphite
ເສັ້ນໃຍກາກບອນ
Wafer
ຜະລິດຕະພັນເຊລາມິກເພີ່ມເຕີມ

ຜະລິດຕະພັນທີ່ໂດດເດັ່ນ

Tantalum Carbide TaC CVD Coating Custom Parts
ແຫວນເຄືອບ Tantalum Carbide
ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ SiC ceramic effector
paddle ຜ້າໃບ Silicon carbide
ຊີວິດການບໍລິການຍາວ SiC Coated Graphite Carrier ສໍາລັບດັ່ງນັ້ນ ...
Silicon Carbide Coated Graphite Tool, ສໍາລັບ Epitaxy C...
ຖາດ MOCVD ເຄືອບ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງຕ້ານການຜຸພັງ
SiC Coating Barrel Structure ສໍາລັບ Barrel Susceptor
Semiconductor ສ່ວນເຄິ່ງທີສອງສໍາລັບ Epitaxial

MOCVD ຊິ້ນສ່ວນ Epitaxial

MOCVD Susceptor ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial
SiC Coated Graphite Base Susceptors ສໍາລັບ MOCVD
ຜູ້ຖື Wafer
Wafer Susceptor
MOCVD 3×2” ທົນ
19 ຊິ້ນສ່ວນອຸປະກອນ 2 ນິ້ວ graphite base MOCVD
ສີຟ້າ/ສີຂຽວ LED epitaxy
ຖາດ MOCVD ເຄືອບ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງຕ້ານການຜຸພັງ
Graphite Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ Silicon Carbide, 8 ນິ້ວ wafer Carrier
ຂະບວນການເຄືອບ SiC ສໍາລັບພື້ນຖານ graphite SiC Coated Graphite Carriers
36 ຊິ້ນສ່ວນອຸປະກອນ 4 ນິ້ວ graphite base MOCVD
Silicon Carbide Epitaxial Wafer Discs ສໍາລັບອຸປະກອນ VEECO

1 2 ຕໍ່ໄປ >>> ໜ້າ 1/2

ຂໍ້ມູນ

ຂໍ້ມູນບໍລິສັດ
ຕິດຕໍ່ພວກເຮົາ
ການຢັ້ງຢືນ & ກຽດສັກສີ
ຜະລິດຕະພັນ

ຈົດໝາຍສະບັບໃໝ່

ສໍາລັບການສອບຖາມກ່ຽວກັບຜະລິດຕະພັນຫຼື pricelist ຂອງພວກເຮົາ, ກະລຸນາປ່ອຍໃຫ້ອີເມວຂອງທ່ານກັບພວກເຮົາແລະພວກເຮົາຈະຕິດຕໍ່ພົວພັນພາຍໃນ 24 ຊົ່ວໂມງ.

ສອບຖາມລາຄາ

ການຕິດຕໍ່ຂອງພວກເຮົາ

86-0574-8650 3783
ສະບັບເລກທີ 1958 Jiangnan Road, Ningbo ເຕັກໂນໂລຊີສູງເຂດ, Zhejiang, 315201, ຈີນ
sales01@semi-cera.com

© ສະຫງວນລິຂະສິດ - 2018-2027 : All Rights Reserved.ແຜນຜັງເວັບໄຊທ໌
ຈີນ Graphite ຮູ້ສຶກແລະແຂງ, ການເຄືອບ TaC, Si Wafer, Epi Wafer, ຊັ້ນໃຕ້ດິນ SiC, tantalum carbide,

ສົ່ງອີເມວ