-
ວິທີການຂັດ wafer ມີຫຍັງແດ່?
ຂອງຂະບວນການທັງຫມົດທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບການສ້າງຊິບ, ຊະຕາກໍາສຸດທ້າຍຂອງ wafer ຈະຖືກຕັດເຂົ້າໄປໃນຕາຍຂອງບຸກຄົນແລະຫຸ້ມຫໍ່ຢູ່ໃນກ່ອງຂະຫນາດນ້ອຍ, ຫຸ້ມດ້ວຍ pins ພຽງເລັກນ້ອຍເປີດເຜີຍ. ຊິບຈະຖືກປະເມີນໂດຍອີງໃສ່ເກນ, ຄວາມຕ້ານທານ, ປະຈຸບັນ, ແລະຄ່າແຮງດັນຂອງມັນ, ແຕ່ບໍ່ມີໃຜຈະພິຈາລະນາ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ການແນະນໍາພື້ນຖານຂອງຂະບວນການເຕີບໂຕ SiC Epitaxial
ຊັ້ນ Epitaxial ແມ່ນຮູບເງົາໄປເຊຍກັນອັນດຽວທີ່ປູກຢູ່ໃນ wafer ໂດຍຂະບວນການ Epitaxial, ແລະຊັ້ນຍ່ອຍຂອງ wafer ແລະ epitaxial ຖືກເອີ້ນວ່າ wafer epitaxial. ໂດຍການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊັ້ນ epitaxial silicon carbide ເທິງຊັ້ນໃຕ້ດິນ silicon carbide conductive, the silicon carbide homogeneous epitaxial ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ຈຸດສໍາຄັນຂອງການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor
ຈຸດສໍາຄັນສໍາລັບການຄວບຄຸມຄຸນນະພາບໃນຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ໃນປັດຈຸບັນ, ເຕັກໂນໂລຊີຂະບວນການສໍາລັບການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ໄດ້ປັບປຸງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍແລະເພີ່ມປະສິດທິພາບ. ຢ່າງໃດກໍຕາມ, ຈາກທັດສະນະໂດຍລວມ, ຂະບວນການແລະວິທີການສໍາລັບການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ຍັງບໍ່ທັນບັນລຸໄດ້ຫຼາຍທີ່ສຸດ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ສິ່ງທ້າທາຍໃນຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ Semiconductor
ເຕັກນິກໃນປະຈຸບັນສໍາລັບການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ແມ່ນຄ່ອຍໆປັບປຸງ, ແຕ່ຂອບເຂດທີ່ອຸປະກອນແລະເຕັກໂນໂລຢີອັດຕະໂນມັດຖືກຮັບຮອງເອົາໃນການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ກໍານົດໂດຍກົງຂອງຜົນໄດ້ຮັບທີ່ຄາດໄວ້. ຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ semiconductor ທີ່ມີຢູ່ແລ້ວຍັງປະສົບກັບ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ການຄົ້ນຄວ້າແລະການວິເຄາະຂະບວນການຫຸ້ມຫໍ່ Semiconductor
ພາບລວມຂອງຂະບວນການ Semiconductor ຂະບວນການ semiconductor ຕົ້ນຕໍແມ່ນກ່ຽວຂ້ອງກັບການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຊີ microfabrication ແລະຮູບເງົາເພື່ອເຊື່ອມຕໍ່ຢ່າງເຕັມສ່ວນຊິບແລະອົງປະກອບອື່ນໆພາຍໃນພາກພື້ນຕ່າງໆ, ເຊັ່ນ: substrates ແລະກອບ. ອັນນີ້ຊ່ວຍອໍານວຍຄວາມສະດວກໃນການສະກັດເອົາຫົວເຊື້ອ ແລະ ການຫຸ້ມຫໍ່ດ້ວຍ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ແນວໂນ້ມໃຫມ່ໃນອຸດສາຫະກໍາ Semiconductor: ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງເຕັກໂນໂລຊີການເຄືອບປ້ອງກັນ
ອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ກໍາລັງເປັນພະຍານເຖິງການຂະຫຍາຍຕົວທີ່ບໍ່ເຄີຍມີມາກ່ອນ, ໂດຍສະເພາະໃນຂອບເຂດຂອງເຄື່ອງໃຊ້ໄຟຟ້າຂອງ silicon carbide (SiC). ດ້ວຍໂຮງງານ wafer ຂະຫນາດໃຫຍ່ຈໍານວນຫຼາຍກໍາລັງດໍາເນີນການກໍ່ສ້າງຫຼືການຂະຫຍາຍຕົວເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນສໍາລັບອຸປະກອນ SiC ໃນຍານພາຫະນະໄຟຟ້າ, ນີ້ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ຂັ້ນຕອນຕົ້ນຕໍໃນການປຸງແຕ່ງ SiC substrates ແມ່ນຫຍັງ?
ວິທີການທີ່ພວກເຮົາຜະລິດຂັ້ນຕອນການປຸງແຕ່ງສໍາລັບ substrates SiC ມີດັ່ງນີ້: 1. Crystal Orientation: ການນໍາໃຊ້ X-ray diffraction ເພື່ອທິດທາງຂອງ ingot ໄປເຊຍກັນ. ເມື່ອ beam X-ray ຖືກມຸ້ງໄປຫາຫນ້າຜລຶກທີ່ຕ້ອງການ, ມຸມຂອງ beam disfracted ຈະກໍານົດທິດທາງຂອງ crystal ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ກໍານົດຄຸນນະພາບຂອງການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວ - ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ
ຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງຊິລິໂຄນໄປເຊຍກັນດຽວແມ່ນປະຕິບັດຢ່າງສົມບູນໃນພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນ. ພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແມ່ນເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການປັບປຸງຄຸນນະພາບໄປເຊຍກັນແລະປະສິດທິພາບການໄປເຊຍກັນສູງ. ການອອກແບບຂອງພາກສະຫນາມຄວາມຮ້ອນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນກໍານົດການປ່ຽນແປງແລະການປ່ຽນແປງ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial ແມ່ນຫຍັງ?
ການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ Epitaxial ແມ່ນເຕັກໂນໂລຢີທີ່ຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງຊັ້ນຜລຶກຊັ້ນດຽວໃນຊັ້ນໃຕ້ດິນຂອງຜລຶກ (ຊັ້ນໃຕ້ດິນ) ທີ່ມີທິດທາງຂອງຜລຶກດຽວກັນກັບຊັ້ນໃຕ້ດິນ, ຄືກັບວ່າແກ້ວຕົ້ນສະບັບໄດ້ຂະຫຍາຍອອກໄປຂ້າງນອກ. ຊັ້ນຜລຶກດຽວທີ່ເຕີບໂຕໃຫມ່ນີ້ສາມາດແຕກຕ່າງຈາກຊັ້ນຍ່ອຍໃນແງ່ຂອງ c ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ຄວາມແຕກຕ່າງລະຫວ່າງ substrate ແລະ epitaxy ແມ່ນຫຍັງ?
ໃນຂະບວນການກະກຽມ wafer, ມີສອງເຊື່ອມຕໍ່ຫຼັກ: ຫນຶ່ງແມ່ນການກະກຽມຂອງ substrate, ແລະອີກອັນຫນຶ່ງແມ່ນການປະຕິບັດຂະບວນການ epitaxial. substrate, wafer ຫັດຖະກໍາຢ່າງລະມັດລະວັງຈາກ semiconductor ວັດສະດຸໄປເຊຍກັນ, ສາມາດໃສ່ໂດຍກົງເຂົ້າໃນການຜະລິດ wafer ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ເປີດເຜີຍລັກສະນະທີ່ຫຼາກຫຼາຍຂອງເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ Graphite
ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນ Graphite ໄດ້ກາຍເປັນເຄື່ອງມືທີ່ຂາດບໍ່ໄດ້ໃນທົ່ວອຸດສາຫະກໍາຕ່າງໆເນື່ອງຈາກຄຸນສົມບັດພິເສດແລະຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງມັນ. ຈາກຫ້ອງທົດລອງໄປສູ່ການຕັ້ງອຸດສາຫະກໍາ, ເຄື່ອງເຮັດຄວາມຮ້ອນເຫຼົ່ານີ້ມີບົດບາດສໍາຄັນໃນຂະບວນການຕັ້ງແຕ່ການສັງເຄາະວັດສະດຸຈົນເຖິງເຕັກນິກການວິເຄາະ. ໃນບັນດາປະເພດຕ່າງໆ ...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ -
ຄໍາອະທິບາຍລາຍລະອຽດຂອງຂໍ້ດີແລະຂໍ້ເສຍຂອງການ etching ແຫ້ງແລະ etching ຊຸ່ມ
ໃນການຜະລິດ semiconductor, ມີເຕັກນິກທີ່ເອີ້ນວ່າ "etching" ໃນລະຫວ່າງການປຸງແຕ່ງຂອງ substrate ຫຼືຮູບເງົາບາງໆສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນ substrate ໄດ້. ການພັດທະນາຂອງເຕັກໂນໂລຊີ etching ໄດ້ມີບົດບາດໃນການປະຕິບັດຕົວຈິງຂອງການຄາດຄະເນທີ່ເຮັດໂດຍຜູ້ກໍ່ຕັ້ງ Intel Gordon Moore ໃນປີ 1965 ວ່າ "...ອ່ານເພີ່ມເຕີມ