ຖາດ Silicon carbide, ຊຶ່ງເອີ້ນກັນວ່າຖາດ SiC, ແມ່ນວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນທີ່ໃຊ້ເພື່ອປະຕິບັດຊິລິໂຄນ wafers ໃນຂະບວນການຜະລິດ semiconductor. Silicon carbide ມີຄຸນສົມບັດທີ່ດີເລີດເຊັ່ນ: ຄວາມແຂງສູງ, ຄວາມທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ແລະການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ສະນັ້ນມັນຄ່ອຍໆປ່ຽນແທນວັດສະດຸພື້ນເມືອງເຊັ່ນ: quartz ແລະ ceramic trays ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. ດ້ວຍການພັດທະນາຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນຂົງເຂດຂອງ 5G, ອຸປະກອນ optoelectronic, ເອເລັກໂຕຣນິກພະລັງງານ, ແລະອື່ນໆ, ຄວາມຕ້ອງການຖາດ silicon carbide ຍັງເພີ່ມຂຶ້ນ.
Semiceraຖາດ silicon carbideໃຊ້ຂະບວນການ sintering ຂັ້ນສູງໃນລະຫວ່າງຂະບວນການຜະລິດເພື່ອຮັບປະກັນຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງແລະຄວາມເຂັ້ມແຂງຂອງຖາດ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ພວກເຂົາສາມາດຮັກສາການປະຕິບັດທີ່ຫມັ້ນຄົງພາຍໃຕ້ເງື່ອນໄຂທີ່ຮຸນແຮງເຊັ່ນ: ອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມກົດດັນສູງ. ໃນເວລາດຽວກັນ, ຕົວຄູນການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາຂອງຖາດ silicon carbide ສາມາດຫຼຸດຜ່ອນຜົນກະທົບຂອງການປ່ຽນແປງອຸນຫະພູມຕໍ່ຄວາມຖືກຕ້ອງຂອງການປຸງແຕ່ງ.wafers ຊິລິໂຄນ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງອັດຕາຜົນຜະລິດຂອງຜະລິດຕະພັນ.
ໄດ້ຖາດ silicon carbideພັດທະນາໂດຍ Semicera ບໍ່ພຽງແຕ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການປຸງແຕ່ງພື້ນເມືອງwafers ຊິລິໂຄນ, ແຕ່ຍັງສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ໃນການຜະລິດຂອງ silicon carbide wafers, ເຊິ່ງເປັນສິ່ງສໍາຄັນສໍາລັບການພັດທະນາໃນອະນາຄົດຂອງອຸດສາຫະກໍາ semiconductor. wafers ຊິລິໂຄນ carbide ມີການເຄື່ອນໄຫວເອເລັກໂຕຣນິກທີ່ສູງຂຶ້ນແລະການນໍາຄວາມຮ້ອນທີ່ດີກວ່າ, ຊຶ່ງສາມາດປັບປຸງປະສິດທິພາບການເຮັດວຽກແລະປະສິດທິພາບຂອງອຸປະກອນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ. ດັ່ງນັ້ນ, ຄວາມຕ້ອງການສໍາລັບຖາດ silicon carbide ທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການຜະລິດຂອງເຂົາເຈົ້າແມ່ນເພີ່ມຂຶ້ນ.
ດ້ວຍຄວາມກ້າວຫນ້າຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງຂອງເທກໂນໂລຍີການຜະລິດ semiconductor, ການອອກແບບແລະຂະບວນການຜະລິດຖາດ silicon carbide ຍັງຖືກປັບປຸງໃຫ້ດີທີ່ສຸດ. ໃນອະນາຄົດ, Semicera ຈະສືບຕໍ່ເຮັດວຽກກ່ຽວກັບການປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງ pallets silicon carbide ເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການຂອງຕະຫຼາດສໍາລັບ pallets ຄວາມແມ່ນຍໍາສູງ, ຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືສູງ. ການນໍາໃຊ້ຢ່າງແຜ່ຫຼາຍຂອງ pallets silicon carbide ບໍ່ພຽງແຕ່ສົ່ງເສີມການພັດທະນາຂະບວນການຜະລິດ semiconductor, ແຕ່ຍັງສະຫນັບສະຫນູນທີ່ເຂັ້ມແຂງສໍາລັບການເຮັດໃຫ້ຜະລິດຕະພັນເອເລັກໂຕຣນິກປະສິດທິພາບແລະຫມັ້ນຄົງຫຼາຍ.
ເວລາປະກາດ: ສິງຫາ-30-2024