CVD Bulk Silicon Carbide (SiC)
ພາບລວມ:CVDຊິລິໂຄນຄາໄບເປັນຊຸດ (SiC)ເປັນວັດສະດຸທີ່ຕ້ອງການຫຼາຍໃນອຸປະກອນ plasma etching, ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກການປຸງແຕ່ງຄວາມຮ້ອນຢ່າງໄວວາ (RTP), ແລະຂະບວນການຜະລິດ semiconductor ອື່ນໆ. ຄຸນສົມບັດກົນຈັກ, ເຄມີ, ແລະຄວາມຮ້ອນພິເສດຂອງມັນເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອຸປະກອນທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ເຕັກໂນໂລຢີກ້າວຫນ້າທີ່ຕ້ອງການຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄວາມທົນທານສູງ.
ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ CVD Bulk SiC:Bulk SiC ແມ່ນສໍາຄັນໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor, ໂດຍສະເພາະໃນລະບົບ plasma etching, ບ່ອນທີ່ອົງປະກອບເຊັ່ນ: ແຫວນໂຟກັສ, ຫົວອາບອາຍແກັສ, ແຫວນຂອບ, ແລະແຜ່ນຮັບຜົນປະໂຫຍດຈາກການຕໍ່ຕ້ານການກັດກ່ອນແລະຄວາມຮ້ອນຂອງ SiC. ການນໍາໃຊ້ຂອງມັນຂະຫຍາຍໄປRTPລະບົບເນື່ອງຈາກຄວາມສາມາດຂອງ SiC ທີ່ຈະທົນທານຕໍ່ການປ່ຽນແປງຂອງອຸນຫະພູມຢ່າງໄວວາໂດຍບໍ່ມີການຊຸດໂຊມທີ່ສໍາຄັນ.
ນອກເຫນືອໄປຈາກອຸປະກອນ etching, CVDSiC ສ່ວນໃຫຍ່ມີຄວາມໂປດປານໃນ furnaces ການແຜ່ກະຈາຍແລະຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, ບ່ອນທີ່ຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນສູງແລະຄວາມຕ້ານທານກັບສະພາບແວດລ້ອມທາງເຄມີ harsh ແມ່ນຕ້ອງການ. ຄຸນລັກສະນະເຫຼົ່ານີ້ເຮັດໃຫ້ SiC ເປັນວັດສະດຸທາງເລືອກສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງທີ່ກ່ຽວຂ້ອງກັບອຸນຫະພູມສູງແລະທາດອາຍຜິດທີ່ເຮັດໃຫ້ເກີດຄວາມເສຍຫາຍເຊັ່ນ: chlorine ແລະ fluorine.
ຂໍ້ດີຂອງອົງປະກອບ CVD Bulk SiC:
•ຄວາມຫນາແຫນ້ນສູງ:ຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງ 3.2 g / cm³,CVD ສ່ວນໃຫຍ່ SiCອົງປະກອບແມ່ນທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ແລະຜົນກະທົບກົນຈັກສູງ.
•ການນໍາໃຊ້ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີກວ່າ:ສະຫນອງການນໍາຄວາມຮ້ອນຂອງ 300 W/m·K, SiC bulk ປະສິດທິພາບການຄຸ້ມຄອງຄວາມຮ້ອນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບອົງປະກອບສໍາຜັດກັບວົງຈອນຄວາມຮ້ອນທີ່ສຸດ.
•ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີພິເສດ:ປະຕິກິລິຍາຕໍ່າຂອງ SiC ທີ່ມີທາດອາຍພິດ etching, ລວມທັງ chlorine ແລະສານເຄມີທີ່ອີງໃສ່ fluorine, ຮັບປະກັນຊີວິດອົງປະກອບທີ່ຍາວນານ.
•ຄວາມຕ້ານທານທີ່ສາມາດປັບໄດ້: CVD ສ່ວນໃຫຍ່ SiCຄວາມຕ້ານທານສາມາດຖືກປັບແຕ່ງພາຍໃນຂອບເຂດຂອງ 10⁻²–10⁴ Ω-cm, ເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດປັບຕົວໄດ້ກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງການຜະລິດ etching ແລະ semiconductor ສະເພາະ.
•ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ:ດ້ວຍຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຂອງ 4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C), SiC CVD bulk ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນ, ຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງມິຕິລະດັບເຖິງແມ່ນວ່າໃນໄລຍະການໃຫ້ຄວາມຮ້ອນໄວແລະຄວາມເຢັນຮອບວຽນ.
•ຄວາມທົນທານໃນ Plasma:ການສໍາຜັດກັບ plasma ແລະທາດອາຍຜິດ reactive ແມ່ນ inevitable ໃນຂະບວນການ semiconductor, ແຕ່CVD ສ່ວນໃຫຍ່ SiCສະຫນອງຄວາມຕ້ານທານທີ່ດີກວ່າຕໍ່ການກັດກ່ອນແລະການເຊື່ອມໂຊມ, ຫຼຸດຜ່ອນຄວາມຖີ່ຂອງການທົດແທນແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາໂດຍລວມ.
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະທາງວິຊາການ:
•ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ:ໃຫຍ່ກວ່າ 305 ມມ
•ຄວາມຕ້ານທານ:ປັບໄດ້ພາຍໃນ 10⁻²–10⁴ Ω-cm
•ຄວາມໜາແໜ້ນ:3.2 g/cm³
•ການນໍາຄວາມຮ້ອນ:300 W/m·K
•ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ:4.8 x 10⁻⁶/°C (25–1000°C)
ການປັບແຕ່ງແລະຄວາມຍືດຫຍຸ່ນ:ທີ່Semicera Semiconductor, ພວກເຮົາເຂົ້າໃຈວ່າທຸກຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor ອາດຈະຕ້ອງການສະເພາະທີ່ແຕກຕ່າງກັນ. ນັ້ນແມ່ນເຫດຜົນທີ່ວ່າອົງປະກອບ SiC ສ່ວນໃຫຍ່ CVD ຂອງພວກເຮົາແມ່ນສາມາດປັບແຕ່ງໄດ້ຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ມີຄວາມຕ້ານທານທີ່ສາມາດປັບໄດ້ແລະຂະຫນາດທີ່ເຫມາະສົມກັບຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸປະກອນຂອງທ່ານ. ບໍ່ວ່າທ່ານກໍາລັງປັບປຸງລະບົບການແກະສະຫຼັກໃນ plasma ຂອງທ່ານຫຼືຊອກຫາອົງປະກອບທີ່ທົນທານໃນຂະບວນການ RTP ຫຼືການແຜ່ກະຈາຍ, SiC CVD ຂອງພວກເຮົາສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ບໍ່ມີຕົວຕົນ.
