Silicon carbide ເຊລາມິກ crucibleແມ່ນເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ silicon carbide ແລະເປັນພາຊະນະທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປ.Silicon carbide ເຊລາມິກ crucibleມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ທີ່ດີເລີດແລະຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຕົວຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ເຊິ່ງເຮັດໃຫ້ມັນສາມາດທົນທານຕໍ່ຄວາມກົດດັນຄວາມຮ້ອນທີ່ຮຸນແຮງແລະການເຊາະເຈື່ອນຂອງສານເຄມີໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ. ມັນຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການທີ່ພັກຕົວຢ່າງແລະການປຸງແຕ່ງໃນການທົດລອງຫຼືຂະບວນການອຸດສາຫະກໍາເຊັ່ນ: ການລະລາຍ, sintering, ການປິ່ນປົວຄວາມຮ້ອນແລະປະຕິກິລິຍາເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບອຸນຫະພູມສູງ.
ຂອງພວກເຮົາsilicon carbide crucibleແມ່ນ fabricated ໂດຍການກົດ isostatic ຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ. ໃນຂະບວນການຂອງການນໍາໃຊ້ອຸນຫະພູມສູງ, ຄ່າສໍາປະສິດຂອງການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນແມ່ນຂະຫນາດນ້ອຍ, ແລະມັນມີຄວາມຕ້ານທານກັບຄວາມເມື່ອຍລ້າສະເພາະໃດຫນຶ່ງຕໍ່ກັບຄວາມຮ້ອນສ້ວຍແຫຼມແລະຄວາມເຢັນສ້ວຍແຫຼມ. ມັນມີຄວາມຕ້ານທານ corrosion ທີ່ເຂັ້ມແຂງກັບການແກ້ໄຂອາຊິດແລະເປັນດ່າງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເລີດ. ຮູບແບບສະເພາະສາມາດໄດ້ຮັບການປັບແຕ່ງໂດຍການແຕ້ມຮູບແລະຕົວຢ່າງ, ແລະວັດສະດຸແມ່ນ graphite ພາຍໃນປະເທດແລະ graphite ນໍາເຂົ້າເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງລູກຄ້າ.
ວັດຖຸດິບຕົ້ນຕໍຂອງ graphite crucible ແມ່ນ graphite, silicon carbide, silica, ດິນເຜົາ refractory, pitch, ແລະ tar, ແລະອື່ນໆ.
> Crucible Graphite ບໍລິສຸດສູງ
> Isostatic Graphite Crucible
> Silicon Carbide Graphite Crucible
> silicon Carbide Crucible
> Crucible ດິນເຜົາ Graphite
> Quarts Crucible
ຄຸນສົມບັດ:
1. ອາຍຸການເຮັດວຽກຍາວນານ
2. ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ
3. ວັດສະດຸທີ່ມີຮູບແບບໃຫມ່
4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ
5. ຕ້ານການຜຸພັງ
6. ຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງ
7. Multi-function
| ຂໍ້ມູນດ້ານວິຊາການຂອງວັດສະດຸ | |||
| ດັດຊະນີ | ໜ່ວຍ | ຄ່າມາດຕະຖານ | ຄ່າທົດສອບ |
| ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມ | ℃ | 1650℃ | 1800℃ |
| ອົງປະກອບທາງເຄມີ | C | 35~45 | 45 |
| SiC | 15~25 | 25 | |
| AL2O3 | 10~20 | 25 | |
| SiO2 | 20~25 | 5 | |
| Porosity ປາກົດຂື້ນ | % | ≤30% | ≤28% |
| ແຮງບີບອັດ | Mpa | ≥8.5MPa | ≥8.5MPa |
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນຫຼາຍ | g/cm3 | ≥1.75 | 1.78 |
| silicon carbide crucible ຂອງພວກເຮົາແມ່ນກອບເປັນຈໍານວນ isostatic, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ 23 ຄັ້ງໃນ furnace, ໃນຂະນະທີ່ອື່ນໆສາມາດໃຊ້ໄດ້ພຽງແຕ່ 12 ຄັ້ງ. | |||
