ລາຍລະອຽດ
ໄດ້ແຜ່ນ Silicon Carbideສໍາລັບ MOCVD ຈາກ semicera, ໂຊລູຊັ່ນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອປະສິດທິພາບທີ່ດີທີ່ສຸດໃນຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial. ແຜ່ນ semicera Silicon Carbide ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການ Si Epitaxy ແລະ SiC Epitaxy. ວິສະວະກໍາເພື່ອທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະເງື່ອນໄຂທີ່ຕ້ອງການຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ MOCVD, ແຜ່ນນີ້ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະອາຍຸຍືນ.
ແຜ່ນ Silicon Carbide ຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຂົ້າກັນໄດ້ກັບການຕິດຕັ້ງ MOCVD ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ, ລວມທັງMOCVD Susceptorລະບົບ, ແລະສະຫນັບສະຫນູນຂະບວນການຂັ້ນສູງເຊັ່ນ GaN ໃນ SiC Epitaxy. ມັນຍັງປະສົມປະສານຢ່າງຄ່ອງແຄ້ວກັບ PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ແລະ RTP Carrier, ເພີ່ມຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄຸນນະພາບຂອງຜົນຜະລິດການຜະລິດຂອງທ່ານ. ບໍ່ວ່າຈະເປັນການນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຜະລິດ Monocrystalline Silicon ຫຼືຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ LED Epitaxial Susceptor, ແຜ່ນນີ້ຮັບປະກັນຜົນໄດ້ຮັບພິເສດ.
ນອກຈາກນັ້ນ, Silicon Carbide Disc ຂອງ semicera ສາມາດປັບຕົວເຂົ້າກັບການຕັ້ງຄ່າຕ່າງໆ, ລວມທັງການຕິດຕັ້ງ Pancake Susceptor ແລະ Barrel Susceptor, ສະເຫນີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນໃນສະພາບແວດລ້ອມການຜະລິດທີ່ຫຼາກຫຼາຍ. ການລວມເອົາຊິ້ນສ່ວນ Photovoltaic ຂະຫຍາຍການ ນຳ ໃຊ້ເຂົ້າໃນອຸດສາຫະ ກຳ ພະລັງງານແສງຕາເວັນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນສ່ວນປະກອບທີ່ຫຼາກຫຼາຍແລະຂາດບໍ່ໄດ້ ສຳ ລັບຄວາມທັນສະ ໄໝ.epitaxialການຂະຫຍາຍຕົວແລະການຜະລິດ semiconductor.
ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ
1 .ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite
2. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ Superior & ຄວາມສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນ
3. ປັບໃໝSiC ເຄືອບ Crystalສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ
4. ຄວາມທົນທານສູງຕໍ່ກັບການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ
ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC:
| SiC-CVD | ||
| ຄວາມຫນາແຫນ້ນ | (g/cc) | 3.21 |
| ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural | (Mpa) | 470 |
| ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ | (10-6/K) | 4 |
| ການນໍາຄວາມຮ້ອນ | (W/mK) | 300 |
ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະການຂົນສົ່ງ
ຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງ:
10,000 ຊິ້ນ / ຊິ້ນຕໍ່ເດືອນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ & ການຈັດສົ່ງ:
ການຫຸ້ມຫໍ່: ມາດຕະຖານແລະການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ເຂັ້ມແຂງ
ຖົງ Poly + ກ່ອງ + Carton + Pallet
ພອດ:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ເວລານໍາ:
| ປະລິມານ(ຕ່ອນ) | 1-1000 | > 1000 |
| ຄາດຄະເນ ເວລາ(ມື້) | 30 | ທີ່ຈະເຈລະຈາ |
