ແຜ່ນ Silicon Carbide ສໍາລັບ MOCVD

ໄດ້ແຜ່ນ Silicon Carbideສໍາລັບ MOCVD ຈາກ semicera, ໂຊລູຊັ່ນທີ່ມີປະສິດທິພາບສູງທີ່ຖືກອອກແບບມາເພື່ອປະສິດທິພາບທີ່ດີທີ່ສຸດໃນຂະບວນການເຕີບໃຫຍ່ຂອງ epitaxial. ແຜ່ນ semicera Silicon Carbide ສະຫນອງຄວາມຫມັ້ນຄົງຄວາມຮ້ອນພິເສດແລະຄວາມແມ່ນຍໍາ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນອົງປະກອບທີ່ສໍາຄັນໃນຂະບວນການ Si Epitaxy ແລະ SiC Epitaxy. ວິສະວະກໍາເພື່ອທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງແລະເງື່ອນໄຂທີ່ຕ້ອງການຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ MOCVD, ແຜ່ນນີ້ຮັບປະກັນການປະຕິບັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ແລະອາຍຸຍືນ.

ແຜ່ນ Silicon Carbide ຂອງພວກເຮົາແມ່ນເຂົ້າກັນໄດ້ກັບການຕິດຕັ້ງ MOCVD ທີ່ຫຼາກຫຼາຍ, ລວມທັງMOCVD Susceptorລະບົບ, ແລະສະຫນັບສະຫນູນຂະບວນການຂັ້ນສູງເຊັ່ນ GaN ໃນ SiC Epitaxy. ມັນຍັງປະສົມປະສານຢ່າງຄ່ອງແຄ້ວກັບ PSS Etching Carrier, ICP Etching Carrier, ແລະ RTP Carrier, ເພີ່ມຄວາມແມ່ນຍໍາແລະຄຸນນະພາບຂອງຜົນຜະລິດການຜະລິດຂອງທ່ານ. ບໍ່ວ່າຈະເປັນການນໍາໃຊ້ສໍາລັບການຜະລິດ Monocrystalline Silicon ຫຼືຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ LED Epitaxial Susceptor, ແຜ່ນນີ້ຮັບປະກັນຜົນໄດ້ຮັບພິເສດ.

ນອກຈາກນັ້ນ, Silicon Carbide Disc ຂອງ semicera ສາມາດປັບຕົວເຂົ້າກັບການຕັ້ງຄ່າຕ່າງໆ, ລວມທັງການຕິດຕັ້ງ Pancake Susceptor ແລະ Barrel Susceptor, ສະເຫນີຄວາມຍືດຫຍຸ່ນໃນສະພາບແວດລ້ອມການຜະລິດທີ່ຫຼາກຫຼາຍ. ການລວມເອົາຊິ້ນສ່ວນ Photovoltaic ຂະຫຍາຍການ ນຳ ໃຊ້ເຂົ້າໃນອຸດສາຫະ ກຳ ພະລັງງານແສງຕາເວັນ, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນສ່ວນປະກອບທີ່ຫຼາກຫຼາຍແລະຂາດບໍ່ໄດ້ ສຳ ລັບຄວາມທັນສະ ໄໝ.epitaxialການຂະຫຍາຍຕົວແລະການຜະລິດ semiconductor.