Graphite Susceptor ກັບ Silicon Carbide Coating 8 ນິ້ວ wafer Carrier

Graphite Susceptor with Silicon Carbide Coating 8 inch wafer Carrier Featured Image

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Semicera's Graphite Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ Silicon Carbide ສໍາລັບ 8-inch Wafer Carrier ຖືກອອກແບບມາສໍາລັບການປຸງແຕ່ງ semiconductor ປະສິດທິພາບສູງ, ສະຫນອງຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ແລະຄວາມທົນທານ. ການເຄືອບ silicon carbide ຮັບປະກັນການປົກປ້ອງທີ່ເຫນືອກວ່າຕ້ານການຜຸພັງແລະການສວມໃສ່, ເສີມຂະຫຍາຍອາຍຸການ susceptor. ເຫມາະສໍາລັບ MOCVD, CVD, ແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງອື່ນໆ, susceptor ຂອງ Semicera ສະຫນອງການປະຕິບັດທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້, ເຮັດໃຫ້ມັນເປັນການແກ້ໄຂທີ່ສົມບູນແບບສໍາລັບການຈັດການ wafer ທີ່ມີປະສິດທິພາບແລະການປຸງແຕ່ງໃນການຜະລິດ semiconductor ແລະ LED.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ການເຄືອບ CVD-SiCມີລັກສະນະຂອງໂຄງສ້າງເອກະພາບ, ວັດສະດຸທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຕ້ານທານອາຊິດ & ເປັນດ່າງແລະການ reagent ອິນຊີ, ມີຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, graphite ເລີ່ມ oxidize ຢູ່ທີ່ 400C, ເຊິ່ງຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການສູນເສຍຂອງຜົງຍ້ອນການຜຸພັງ, ເຮັດໃຫ້ເກີດມົນລະພິດຕໍ່ສິ່ງແວດລ້ອມຕໍ່ອຸປະກອນ peripheral ແລະຫ້ອງສູນຍາກາດ, ແລະເພີ່ມ impurities ຂອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ.
ແນວໃດກໍ່ຕາມ,ການເຄືອບ SiCສາມາດຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງດ້ານຮ່າງກາຍແລະເຄມີຢູ່ທີ່ 1600 ອົງສາ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ທັນສະໄຫມ, ໂດຍສະເພາະໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

CFGNBHXF

SFGHBZSF

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ

1 .ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite

2. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ Superior & ຄວາມສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນ

3. ປັບໃໝSiC ເຄືອບ Crystalສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ

4. ຄວາມທົນທານສູງຕໍ່ກັບການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC:

SiC-CVD
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	(g/cc)	3.21
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	(Mpa)	470
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	(10-6/K)	4
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະການຂົນສົ່ງ

ຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງ:
10,000 ຊິ້ນ / ຊິ້ນຕໍ່ເດືອນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ & ການຈັດສົ່ງ:
ການຫຸ້ມຫໍ່: ມາດຕະຖານແລະການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ເຂັ້ມແຂງ
ຖົງ Poly + ກ່ອງ + Carton + Pallet
ພອດ:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ເວລານໍາ: