Graphite Susceptor ທີ່ມີການເຄືອບ Silicon Carbide, 8 ນິ້ວ wafer Carrier

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ພະລັງງານ Semicera ສະຫນອງແນວພັນທີ່ສົມບູນຂອງ susceptors ແລະອົງປະກອບ graphite ອອກແບບສໍາລັບເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຕ່າງໆ.

ໂດຍຜ່ານການຮ່ວມມືຍຸດທະສາດກັບ OEMs ຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ຄວາມຊໍານານດ້ານວັດສະດຸຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າ, Weitai ສະຫນອງການອອກແບບທີ່ເຫມາະສົມເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານ. ຄໍາຫມັ້ນສັນຍາຂອງພວກເຮົາເພື່ອຄວາມເປັນເລີດຮັບປະກັນວ່າທ່ານໄດ້ຮັບການແກ້ໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຂອງທ່ານ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ການເຄືອບ CVD-SiCມີລັກສະນະຂອງໂຄງສ້າງເອກະພາບ, ວັດສະດຸທີ່ຫນາແຫນ້ນ, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງ, ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຕ້ານທານອາຊິດ & ເປັນດ່າງແລະການ reagent ອິນຊີ, ມີຄຸນສົມບັດທາງກາຍະພາບແລະສານເຄມີທີ່ຫມັ້ນຄົງ.

ເມື່ອປຽບທຽບກັບວັດສະດຸ graphite ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, graphite ເລີ່ມ oxidize ຢູ່ທີ່ 400C, ເຊິ່ງຈະເຮັດໃຫ້ເກີດການສູນເສຍຂອງຜົງຍ້ອນການຜຸພັງ, ເຮັດໃຫ້ເກີດມົນລະພິດຕໍ່ສິ່ງແວດລ້ອມຕໍ່ອຸປະກອນ peripheral ແລະຫ້ອງສູນຍາກາດ, ແລະເພີ່ມ impurities ຂອງສະພາບແວດລ້ອມທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ.
ແນວໃດກໍ່ຕາມ,ການເຄືອບ SiCສາມາດຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງດ້ານຮ່າງກາຍແລະເຄມີຢູ່ທີ່ 1600 ອົງສາ, ມັນຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນອຸດສາຫະກໍາທີ່ທັນສະໄຫມ, ໂດຍສະເພາະໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor.

CFGNBHXF

SFGHBZSF

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ

1 .ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite

2. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ Superior & ຄວາມສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນ

3. ປັບໃໝSiC ເຄືອບ Crystalສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ

4. ຄວາມທົນທານສູງຕໍ່ກັບການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC:

SiC-CVD
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	(g/cc)	3.21
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	(Mpa)	470
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	(10-6/K)	4
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ການຫຸ້ມຫໍ່ແລະການຂົນສົ່ງ

ຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງ:
10,000 ຊິ້ນ / ຊິ້ນຕໍ່ເດືອນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ & ການຈັດສົ່ງ:
ການຫຸ້ມຫໍ່: ມາດຕະຖານແລະການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ເຂັ້ມແຂງ
ຖົງ Poly + ກ່ອງ + Carton + Pallet
ພອດ:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ເວລານໍາ: