SiC-Coated Epitaxial Reactor Barrel

ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ Epitaxial Barrel SiC-Coated

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Semicera ສະຫນອງແນວພັນທີ່ສົມບູນຂອງ susceptors ແລະອົງປະກອບ graphite ອອກແບບສໍາລັບເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຕ່າງໆ.

ໂດຍຜ່ານການຮ່ວມມືຍຸດທະສາດກັບ OEMs ຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ຄວາມຊໍານານດ້ານວັດສະດຸຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າ, Semicera ສະຫນອງການອອກແບບທີ່ເຫມາະສົມເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານ. ຄໍາຫມັ້ນສັນຍາຂອງພວກເຮົາເພື່ອຄວາມເປັນເລີດຮັບປະກັນວ່າທ່ານໄດ້ຮັບການແກ້ໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຂອງທ່ານ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງການເຄືອບ SiCການບໍລິການປຸງແຕ່ງຢູ່ເທິງພື້ນຜິວຂອງກາຟ, ເຊລາມິກແລະວັດສະດຸອື່ນໆໂດຍວິທີການ CVD, ເພື່ອໃຫ້ທາດອາຍແກັສພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນສາມາດປະຕິກິລິຍາໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ Sic ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ເຊິ່ງສາມາດຖືກຝາກໄວ້ເທິງຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບເພື່ອສ້າງເປັນ.ຊັ້ນປ້ອງກັນ SiCສໍາລັບ epitaxy barrel ປະເພດ hy pnotic.

sic (1)

sic (2)

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ:
ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຍັງດີຫຼາຍເມື່ອອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 C.
2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໄດ້ໂດຍການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບການ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.
3. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກດີ.
4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC

ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J·kg-1 ·K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300