Graphite Suscepctor ກັບ Silicon Carbide Coating tray Barrel

ລາຍ​ລະ​ອຽດ​ສັ້ນ​:

Semicera ສະຫນອງແນວພັນທີ່ສົມບູນຂອງ susceptors ແລະອົງປະກອບ graphite ອອກແບບສໍາລັບເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຕ່າງໆ.

ໂດຍຜ່ານການຮ່ວມມືຍຸດທະສາດກັບ OEMs ຊັ້ນນໍາຂອງອຸດສາຫະກໍາ, ຄວາມຊໍານານດ້ານວັດສະດຸຢ່າງກວ້າງຂວາງ, ແລະຄວາມສາມາດໃນການຜະລິດທີ່ກ້າວຫນ້າ, Semicera ສະຫນອງການອອກແບບທີ່ເຫມາະສົມເພື່ອຕອບສະຫນອງຄວາມຕ້ອງການສະເພາະຂອງຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງທ່ານ. ຄໍາຫມັ້ນສັນຍາຂອງພວກເຮົາເພື່ອຄວາມເປັນເລີດຮັບປະກັນວ່າທ່ານໄດ້ຮັບການແກ້ໄຂທີ່ດີທີ່ສຸດສໍາລັບຄວາມຕ້ອງການຂອງເຄື່ອງປະຕິກອນ epitaxy ຂອງທ່ານ.

 

 


ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາໃຫ້ບໍລິການຂະບວນການເຄືອບ SiC ໂດຍວິທີການ CVD ເທິງຫນ້າດິນຂອງກາຟ, ເຊລາມິກແລະວັດສະດຸອື່ນໆ, ດັ່ງນັ້ນທາດອາຍຜິດພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນ react ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂມເລກຸນທີ່ຝາກໄວ້ໃນຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບ, ການສ້າງຊັ້ນປ້ອງກັນ SIC.

ກ່ຽວ​ກັບ (1​)

ກ່ຽວ​ກັບ (2​)

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ

1 .ຄວາມບໍລິສຸດສູງ SiC coated graphite

2. ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນ Superior & ຄວາມສອດຄ່ອງຄວາມຮ້ອນ

3. Fine SiC crystal coated ສໍາລັບຫນ້າກ້ຽງ

4. ຄວາມທົນທານສູງຕໍ່ກັບການທໍາຄວາມສະອາດສານເຄມີ

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC

ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ g/ຊມ ³ 3.21
ຄວາມແຂງ ຄວາມແຂງຂອງ Vickers 2500
ຂະໜາດເມັດພືດ ມມ 2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ % 99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ J·kg-1 ·K-1 640
ອຸນຫະພູມ sublimation 2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural MPa (RT 4 ຈຸດ) 415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ Gpa (4pt ງໍ, 1300℃) 430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE) 10-6K-1 4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ (W/mK) 300
图片 3
图片1
图片 2
图片 4
图片 5
ສະຖານທີ່ເຮັດວຽກ Semicera
ບ່ອນ​ເຮັດ​ວຽກ Semicera 2
ເຄື່ອງອຸປະກອນ
ການປຸງແຕ່ງ CNN, ການເຮັດຄວາມສະອາດສານເຄມີ, ການເຄືອບ CVD
ບໍລິການຂອງພວກເຮົາ

  • ທີ່ຜ່ານມາ:
  • ຕໍ່ໄປ: