TaC ເຄືອບຖານ graphite LED ultraviolet ເລິກຫມາຍເຖິງຂະບວນການຂອງການປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸປະກອນໂດຍການຝາກເປັນ.ການເຄືອບ TaCກ່ຽວກັບພື້ນຖານ graphite ໃນລະຫວ່າງການກະກຽມອຸປະກອນ LED ultraviolet ເລິກ. ການເຄືອບນີ້ສາມາດປັບປຸງການປະຕິບັດການລະບາຍຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸປະກອນ, ດັ່ງນັ້ນການປັບປຸງປະສິດທິພາບແລະຄວາມຫນ້າເຊື່ອຖືຂອງອຸປະກອນ LED. ອຸປະກອນ LED ultraviolet ເລິກແມ່ນປົກກະຕິແລ້ວໃຊ້ໃນບາງຂົງເຂດພິເສດ, ເຊັ່ນ: ການຂ້າເຊື້ອ, ການສ້ອມແຊມແສງສະຫວ່າງ, ແລະອື່ນໆ, ທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງສໍາລັບຄວາມຫມັ້ນຄົງແລະປະສິດທິພາບຂອງອຸປະກອນ. ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງTaC ເຄືອບ graphiteພື້ນຖານສາມາດເພີ່ມປະສິດທິພາບຄວາມທົນທານແລະການປະຕິບັດຂອງອຸປະກອນ, ສະຫນອງການສະຫນັບສະຫນູນທີ່ສໍາຄັນສໍາລັບການພັດທະນາເຕັກໂນໂລຢີ LED ultraviolet ເລິກ.
Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ. ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.
ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D. ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ Simicera' ພາກສ່ວນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ.
ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC
ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)
ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, Semicera'sຜະລິດຕະພັນເຄືອບ taCສະແດງໃຫ້ເຫັນຊີວິດການບໍລິການທີ່ຍາວກວ່າແລະການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບການເຄືອບ SiC.ການວັດແທກຫ້ອງທົດລອງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າພວກເຮົາການເຄືອບ TaCສາມາດປະຕິບັດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດສໍາລັບໄລຍະເວລາຂະຫຍາຍ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ: