ແຫວນຄູ່ຄູ່ມື graphite ເຄືອບ TaCອ້າງເຖິງການຕົກຄ້າງຂອງຊັ້ນບາງໆtantalum carbideຢູ່ດ້ານຂອງວົງແຫວນຄູ່ມື graphite ເພື່ອປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ. ການເຄືອບນີ້ມັກຈະຖືກສ້າງຂື້ນຢູ່ດ້ານຂອງວົງແຫວນຄູ່ມື graphite ໂດຍເຕັກນິກເຊັ່ນ: ການລະບາຍອາຍພິດທາງກາຍະພາບ (PVD) ຫຼືການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD).
Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ. ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.
ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D. ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ Simicera' ພາກສ່ວນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ.
ລັກສະນະຕົ້ນຕໍຂອງວົງແຫວນຄູ່ມື graphite ເຄືອບ TaC ປະກອບມີ:
1. ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງ: ການເຄືອບ TaC ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງທີ່ດີເລີດແລະສາມາດຮັກສາຄວາມຫມັ້ນຄົງໃນສະພາບແວດລ້ອມອຸນຫະພູມສູງ.
2. ຄວາມຕ້ານທານການສວມໃສ່: ຄວາມແຂງສູງຂອງຊັ້ນບາງໆຂອງ tantalum carbide ໃຫ້ແຫວນຄູ່ມືການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີແລະຍືດອາຍຸການບໍລິການຂອງມັນ.
3. ຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີ: ການເຄືອບ TaC ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງສູງຕໍ່ກັບການກັດກ່ອນຂອງສານເຄມີ, ເຮັດໃຫ້ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນບາງສື່ corrosive.
4. ຫຼຸດຜ່ອນ friction: ການເຄືອບ TaC ປະສິດທິພາບສາມາດຫຼຸດຜ່ອນ friction ລະຫວ່າງວົງຄູ່ມື graphite ແລະອົງປະກອບອື່ນໆແລະປັບປຸງປະສິດທິພາບຂອງປະທັບຕາກົນຈັກ.
ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC
ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)
ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, Semicera'sຜະລິດຕະພັນເຄືອບ taCສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງອາຍຸການບໍລິການທີ່ຍາວກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບການເຄືອບ SiC.ການວັດແທກຫ້ອງທົດລອງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າພວກເຮົາການເຄືອບ TaCສາມາດປະຕິບັດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດສໍາລັບໄລຍະເວລາຂະຫຍາຍ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ:
