ການເຄືອບ TaCແມ່ນການເຄືອບວັດສະດຸທີ່ສໍາຄັນ, ເຊິ່ງປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນການກະກຽມຢູ່ໃນພື້ນຖານ graphite ໂດຍເຕັກໂນໂລຊີການປ່ອຍອາຍພິດສານເຄມີອິນຊີໂລຫະ (MOCVD). ການເຄືອບນີ້ມີຄຸນສົມບັດທີ່ດີເລີດ, ເຊັ່ນ: ຄວາມແຂງສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ທີ່ດີເລີດ, ການຕໍ່ຕ້ານອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີ, ແລະເຫມາະສົມສໍາລັບຄໍາຮ້ອງສະຫມັກວິສະວະກໍາທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສູງຕ່າງໆ.
ເທັກໂນໂລຍີ MOCVD ເປັນເທກໂນໂລຍີການຈະເລີນເຕີບໂຕຂອງຟິມບາງໆທີ່ໃຊ້ທົ່ວໄປທີ່ຝາກຟີມປະສົມທີ່ຕ້ອງການໄວ້ເທິງພື້ນຜິວໂດຍການປະຕິກິລິຢາທາດໂລຫະທີ່ມີທາດທາດແກັສທີ່ມີປະຕິກິລິຍາຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ. ເມື່ອກະກຽມການເຄືອບ TaC, ການເລືອກຄາຣະວາອິນຊີໂລຫະທີ່ເຫມາະສົມແລະແຫຼ່ງກາກບອນ, ການຄວບຄຸມເງື່ອນໄຂຕິກິຣິຍາແລະຕົວກໍານົດການຝາກ, ຮູບເງົາ TaC ເອກະພາບແລະຫນາແຫນ້ນສາມາດໄດ້ຮັບການຝາກໄວ້ໃນຖານ graphite.
Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ. ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.
ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D. ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ Simicera' ພາກສ່ວນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ.
ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC
ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)
ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, Semicera'sຜະລິດຕະພັນເຄືອບ taCສະແດງໃຫ້ເຫັນເຖິງອາຍຸການບໍລິການທີ່ຍາວກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງຫຼາຍເມື່ອທຽບກັບການເຄືອບ SiC.ການວັດແທກຫ້ອງທົດລອງໄດ້ສະແດງໃຫ້ເຫັນວ່າພວກເຮົາການເຄືອບ TaCສາມາດປະຕິບັດຢ່າງຕໍ່ເນື່ອງໃນອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດສໍາລັບໄລຍະເວລາຂະຫຍາຍ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ:
