ແຜ່ນເຄືອບ Tantalum Carbide (TaC).

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

ການເຄືອບ Tantalum carbide ເປັນເທກໂນໂລຍີການເຄືອບດ້ານທີ່ກ້າວຫນ້າທີ່ໃຊ້ວັດສະດຸ tantalum carbide ເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນທີ່ແຂງ, ທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ແລະທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ. ການເຄືອບນີ້ມີຄຸນສົມບັດທີ່ດີເລີດທີ່ເພີ່ມຂຶ້ນຢ່າງຫຼວງຫຼາຍຂອງຄວາມແຂງຂອງວັດສະດຸ, ຄວາມຕ້ານທານອຸນຫະພູມສູງແລະການຕໍ່ຕ້ານສານເຄມີ, ໃນຂະນະທີ່ຫຼຸດຜ່ອນ friction ແລະການສວມໃສ່. ການເຄືອບ Tantalum carbide ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນຂົງເຂດຕ່າງໆ, ລວມທັງການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາ, ການບິນອະວະກາດ, ວິສະວະກໍາຍານຍົນແລະອຸປະກອນການແພດ, ເພື່ອຍືດອາຍຸວັດສະດຸ, ປັບປຸງປະສິດທິພາບການຜະລິດແລະຫຼຸດຜ່ອນຄ່າໃຊ້ຈ່າຍໃນການບໍາລຸງຮັກສາ. ບໍ່ວ່າຈະເປັນການປົກປ້ອງພື້ນຜິວໂລຫະຈາກການກັດກ່ອນຫຼືການເພີ່ມຄວາມທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງພາກສ່ວນກົນຈັກ, ການເຄືອບ tantalum carbide ສະຫນອງການແກ້ໄຂທີ່ເຊື່ອຖືໄດ້ສໍາລັບການນໍາໃຊ້ທີ່ຫລາກຫລາຍ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ. ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.

ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D. ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບສ່ວນ Simicera ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກດຽວ.

ສ່ວນ Tac ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ

Antiwear tantalum carbide coating_ ປົກປ້ອງອຸປະກອນຈາກການສວມໃສ່ແລະການກັດກ່ອນຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

Graphite ກັບວົງ TaC ເຄືອບ

ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC

ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)

ນອກຈາກນັ້ນ, ຊີວິດການບໍລິການຂອງຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ TaC ຂອງ Semicera ແມ່ນຍາວກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກ່ວາການເຄືອບ SiC. ຫຼັງຈາກຂໍ້ມູນການວັດແທກໃນຫ້ອງທົດລອງເປັນເວລາດົນ, TaC ຂອງພວກເຮົາສາມາດເຮັດວຽກເປັນເວລາດົນນານຢູ່ທີ່ສູງສຸດ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ: