Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ. ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.
ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D. ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ. ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບພາກສ່ວນຂອງ Semicera ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ.
ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC
ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)
ນອກຈາກນັ້ນ, ຊີວິດການບໍລິການຂອງຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ TaC ຂອງ Semicera ແມ່ນຍາວກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກ່ວາການເຄືອບ SiC. ຫຼັງຈາກຂໍ້ມູນການວັດແທກໃນຫ້ອງທົດລອງເປັນເວລາດົນ, TaC ຂອງພວກເຮົາສາມາດເຮັດວຽກເປັນເວລາດົນນານຢູ່ທີ່ສູງສຸດ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດ. ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ:
(a) ແຜນວາດແຜນຜັງຂອງອຸປະກອນການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC ໂດຍວິທີ PVT (ຂ) ວົງເລັບເມັດທີ່ເຄືອບ TaC (ລວມທັງແກ່ນ SiC) (c) ວົງເລັບຄູ່ມື graphite ເຄືອບ TAC
