【ລາຍລະອຽດສະຫຼຸບ】ໃນ C, N, B ທີ່ທັນສະໄຫມແລະວັດຖຸດິບ refractory ເຕັກໂນໂລຊີສູງທີ່ບໍ່ແມ່ນອອກໄຊ, ຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ sintered silicon carbide ແມ່ນກວ້າງຂວາງແລະປະຫຍັດ, ແລະສາມາດເວົ້າວ່າເປັນດິນຊາຍ refractory emery.ຊິລິຄອນຄາໄບອັນບໍລິສຸດເປັນໄປເຊຍກັນໂປ່ງໃສທີ່ບໍ່ມີສີ.ດັ່ງນັ້ນໂຄງສ້າງວັດສະດຸແລະຄຸນລັກສະນະຂອງ silicon carbide ແມ່ນຫຍັງ?
ໂຄງສ້າງວັດສະດຸຂອງຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ sintered silicon carbide:
ຄວາມກົດດັນຂອງບັນຍາກາດ sintered silicon carbide ທີ່ໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາມີສີເຫຼືອງອ່ອນ, ສີຂຽວ, ສີຟ້າແລະສີດໍາຕາມປະເພດແລະເນື້ອໃນຂອງ impurities, ແລະຄວາມບໍລິສຸດແມ່ນແຕກຕ່າງກັນແລະຄວາມໂປ່ງໃສແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ.ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ silicon carbide ແບ່ງອອກເປັນຫົກຄໍາຫຼືຮູບເພັດ plutonium ແລະ cubic plutonium-sic.Plutonium-sic ປະກອບເປັນຄວາມຫລາກຫລາຍຂອງການຜິດປົກກະຕິເນື່ອງຈາກຄໍາສັ່ງ stacking ທີ່ແຕກຕ່າງກັນຂອງອາຕອມຄາບອນແລະຊິລິໂຄນໃນໂຄງສ້າງໄປເຊຍກັນ, ແລະຫຼາຍກ່ວາ 70 ປະເພດຂອງການຜິດປົກກະຕິໄດ້ຖືກພົບເຫັນ.beta-SIC ປ່ຽນເປັນ alpha-SIC ຂ້າງເທິງ 2100. ຂະບວນການອຸດສາຫະກໍາຂອງ silicon carbide ແມ່ນ refined ດ້ວຍດິນຊາຍ quartz ຄຸນນະພາບສູງແລະ petroleum coke ໃນ furnace ການຕໍ່ຕ້ານ.ກ້ອນຫີນ silicon carbide ທີ່ຫລອມໂລຫະຖືກຂັດ, ການເຮັດຄວາມສະອາດອາຊິດຖານ, ການແຍກແມ່ເຫຼັກ, ການຄັດເລືອກຫຼືນ້ໍາເພື່ອຜະລິດຜະລິດຕະພັນຂະຫນາດຂອງອະນຸພາກທີ່ຫລາກຫລາຍ.
ຄຸນລັກສະນະວັດສະດຸຂອງຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ sintered silicon carbide:
Silicon carbide ມີຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີ, ການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ, ການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່, ດັ່ງນັ້ນ, ນອກເຫນືອໄປຈາກການນໍາໃຊ້ abrasive, ມີຫຼາຍການນໍາໃຊ້: ສໍາລັບການຍົກຕົວຢ່າງ, ຝຸ່ນຊິລິໂຄນ carbide ໄດ້ຖືກເຄືອບໃສ່ຝາດ້ານໃນຂອງ impeller turbine ຫຼື cylinder block ກັບ. ຂະບວນການພິເສດ, ເຊິ່ງສາມາດປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການສວມໃສ່ແລະຍືດອາຍຸຂອງ 1 ຫາ 2 ເທົ່າ.ຜະລິດຈາກທົນທານຕໍ່ຄວາມຮ້ອນ, ຂະຫນາດນ້ອຍ, ນ້ໍາຫນັກເບົາ, ມີຄວາມເຂັ້ມແຂງສູງຂອງວັດສະດຸ refractory ຊັ້ນສູງ, ປະສິດທິພາບພະລັງງານແມ່ນດີຫຼາຍ.ຊິລິຄອນ carbide ຊັ້ນຕ່ໍາ (ລວມທັງປະມານ 85% SiC) ເປັນ deoxidizer ທີ່ດີເລີດສໍາລັບການເພີ່ມຄວາມໄວຂອງເຫຼັກກ້າແລະໄດ້ຢ່າງງ່າຍດາຍຄວບຄຸມອົງປະກອບທາງເຄມີເພື່ອປັບປຸງຄຸນນະພາບເຫຼັກ.ນອກຈາກນັ້ນ, ຄວາມກົດດັນບັນຍາກາດ sintered silicon carbide ຍັງຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນການຜະລິດພາກສ່ວນໄຟຟ້າຂອງ rods ກາກບອນຊິລິຄອນ.
Silicon carbide ແມ່ນແຂງຫຼາຍ.ຄວາມແຂງຂອງ Morse ແມ່ນ 9.5, ຮອງຈາກເພັດແຂງຂອງໂລກ (10), ເປັນ semiconductor ທີ່ມີຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດ, ສາມາດຕ້ານການຜຸພັງໃນອຸນຫະພູມສູງ.Silicon carbide ມີຢ່າງຫນ້ອຍ 70 ປະເພດ crystalline.Plutonium-silicon carbide ແມ່ນ isomer ທົ່ວໄປທີ່ປະກອບຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງກວ່າ 2000 ແລະມີໂຄງສ້າງ crystalline hexagonal (ຄ້າຍຄືກັນກັບ wurtzite).Sintered silicon carbide ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຂອງບັນຍາກາດ
ການໃຊ້ຊິລິໂຄນຄາໄບໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor
ລະບົບຕ່ອງໂສ້ອຸດສາຫະກໍາຊິລິໂຄນ carbide semiconductor ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍຝຸ່ນ silicon carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, substrate ໄປເຊຍກັນດຽວ, ແຜ່ນ epitaxial, ອົງປະກອບພະລັງງານ, ການຫຸ້ມຫໍ່ໂມດູນແລະຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ terminal.
1. substrate ໄປເຊຍກັນດຽວ substrate ໄປເຊຍກັນດ່ຽວເປັນ semiconductor ສະຫນັບສະຫນູນວັດສະດຸ, conductive ແລະ substrate ການຂະຫຍາຍຕົວ epitaxial.ໃນປັດຈຸບັນ, ວິທີການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC ດຽວໄປເຊຍກັນປະກອບມີວິທີການໂອນ vapor ທາງກາຍະພາບ (ວິທີ PVT), ວິທີການໄລຍະຂອງແຫຼວ (LPE), ແລະວິທີການປ່ອຍ vapor ສານເຄມີທີ່ອຸນຫະພູມສູງ (ວິທີ HTCVD).Sintered silicon carbide ພາຍໃຕ້ຄວາມກົດດັນຂອງບັນຍາກາດ
2. ແຜ່ນ Epitaxial Silicon carbide epitaxial ແຜ່ນ, ແຜ່ນ silicon carbide, ແຜ່ນ crystal crystal ດຽວ (ຊັ້ນ epitaxial) ມີທິດທາງດຽວກັນກັບ substrate crystal ທີ່ມີຄວາມຕ້ອງການສະເພາະໃດຫນຶ່ງສໍາລັບການ substrate silicon carbide.ໃນການນໍາໃຊ້ພາກປະຕິບັດ, ອຸປະກອນ semiconductor ແຖບກວ້າງແມ່ນເກືອບທັງຫມົດຜະລິດຢູ່ໃນຊັ້ນ epitaxial, ແລະຊິລິໂຄນຕົວມັນເອງພຽງແຕ່ຖືກນໍາໃຊ້ເປັນ substrate, ລວມທັງ substrate ຂອງຊັ້ນ epitaxial GaN.
3. ຝຸ່ນ silicon carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງ ຝຸ່ນ silicon carbide ຄວາມບໍລິສຸດສູງເປັນວັດຖຸດິບສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ silicon carbide ໄປເຊຍກັນດຽວໂດຍວິທີ PVT, ແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງຜະລິດຕະພັນມີຜົນກະທົບໂດຍກົງຕໍ່ຄຸນນະພາບການຂະຫຍາຍຕົວແລະຄຸນລັກສະນະທາງໄຟຟ້າຂອງ silicon carbide crystal ດຽວ.
4. ອຸປະກອນພະລັງງານແມ່ນພະລັງງານແຖບກວ້າງທີ່ເຮັດດ້ວຍວັດສະດຸ silicon carbide, ເຊິ່ງມີລັກສະນະຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ຄວາມຖີ່ສູງແລະປະສິດທິພາບສູງ.ອີງຕາມຮູບແບບການດໍາເນີນງານຂອງອຸປະກອນ, ອຸປະກອນສະຫນອງພະລັງງານ SiC ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະກອບດ້ວຍ diode ພະລັງງານແລະທໍ່ສະຫຼັບພະລັງງານ.
5. Terminal ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ semiconductor ຮຸ່ນທີສາມ, semiconductors ຊິລິໂຄນ carbide ມີປະໂຍດຂອງການເປັນອຸປະກອນເສີມຂອງ gallium nitride semiconductors.ເນື່ອງຈາກປະສິດທິພາບການແປງສູງ, ລັກສະນະຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາ, ນ້ໍາຫນັກເບົາແລະຄວາມໄດ້ປຽບອື່ນໆຂອງອຸປະກອນ SiC, ຄວາມຕ້ອງການຂອງອຸດສາຫະກໍາລຸ່ມນ້ໍາສືບຕໍ່ເພີ່ມຂຶ້ນ, ແລະມີແນວໂນ້ມທີ່ຈະທົດແທນອຸປະກອນ SiO2.
ເວລາປະກາດ: ຕຸລາ-16-2023