ໃນປັດຈຸບັນ, ວິທີການກະກຽມຂອງການເຄືອບ SiCສ່ວນໃຫຍ່ປະກອບມີວິທີການ gel-sol, ວິທີການຝັງ, ວິທີການເຄືອບແປງ, ວິທີການສີດພົ່ນ plasma, ວິທີການຕິກິຣິຍາອາຍແກັສເຄມີ (CVR) ແລະວິທີການ deposition vapor ສານເຄມີ (CVD).
ວິທີການຝັງ:
ວິທີການແມ່ນປະເພດຂອງ sintering ໄລຍະແຂງທີ່ມີອຸນຫະພູມສູງ, ເຊິ່ງສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ການປະສົມຂອງຝຸ່ນ Si ແລະ C ເປັນຝຸ່ນຝັງ, graphite matrix ແມ່ນຖືກຈັດໃສ່ໃນຝຸ່ນຝັງ, ແລະ sintering ອຸນຫະພູມສູງແມ່ນດໍາເນີນຢູ່ໃນອາຍແກັສ inert. , ແລະສຸດທ້າຍໄດ້ການເຄືອບ SiCແມ່ນໄດ້ຮັບຢູ່ດ້ານຂອງ graphite ມາຕຣິກເບື້ອງ.ຂະບວນການແມ່ນງ່າຍດາຍແລະການຜະສົມຜະສານລະຫວ່າງການເຄືອບແລະ substrate ແມ່ນດີ, ແຕ່ຄວາມສອດຄ່ອງຂອງການເຄືອບຕາມທິດທາງຄວາມຫນາແມ່ນບໍ່ດີ, ງ່າຍທີ່ຈະຜະລິດຮູຫຼາຍແລະນໍາໄປສູ່ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງທີ່ບໍ່ດີ.
ວິທີການເຄືອບແປງ:
ວິທີການເຄືອບແປງແມ່ນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການຖູວັດຖຸດິບຂອງແຫຼວຢູ່ເທິງຫນ້າຂອງ graphite matrix, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນປິ່ນປົວວັດຖຸດິບໃນອຸນຫະພູມສະເພາະໃດຫນຶ່ງເພື່ອກະກຽມການເຄືອບ.ຂະບວນການແມ່ນງ່າຍດາຍແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນຕໍ່າ, ແຕ່ການເຄືອບທີ່ກະກຽມໂດຍວິທີການເຄືອບແປງແມ່ນອ່ອນແອໃນການປະສົມປະສານກັບ substrate, ຄວາມເປັນເອກະພາບຂອງເຄືອບແມ່ນບໍ່ດີ, ການເຄືອບແມ່ນບາງໆແລະການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຕໍ່າ, ແລະວິທີການອື່ນໆແມ່ນຈໍາເປັນເພື່ອຊ່ວຍເຫຼືອ. ມັນ.
ວິທີການສີດພົ່ນ plasma:
ວິທີການສີດພົ່ນ plasma ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການສີດວັດຖຸດິບທີ່ melted ຫຼືເຄິ່ງ melted ເທິງຫນ້າດິນຂອງ graphite matrix ດ້ວຍປືນ plasma, ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນເຮັດໃຫ້ແຂງແລະຜູກມັດເພື່ອປະກອບເປັນສານເຄືອບ.ວິທີການແມ່ນງ່າຍດາຍທີ່ຈະດໍາເນີນການແລະສາມາດກະກຽມການເຄືອບ silicon carbide ຂ້ອນຂ້າງຫນາແຫນ້ນ, ແຕ່ການເຄືອບ silicon carbide ກະກຽມໂດຍວິທີການແມ່ນມັກຈະອ່ອນແອເກີນໄປແລະນໍາໄປສູ່ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງທີ່ອ່ອນແອ, ດັ່ງນັ້ນໂດຍທົ່ວໄປແລ້ວມັນຖືກນໍາໃຊ້ສໍາລັບການກະກຽມການເຄືອບ SiC composite ເພື່ອປັບປຸງ. ຄຸນນະພາບຂອງການເຄືອບ.
ວິທີການ gel-sol:
ວິທີການ gel-sol ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນການກະກຽມການແກ້ໄຂ sol ເປັນເອກະພາບແລະໂປ່ງໃສກວມເອົາຫນ້າດິນຂອງມາຕຣິກເບື້ອງ, ຕາກໃຫ້ແຫ້ງເປັນ gel ແລະຫຼັງຈາກນັ້ນ sintering ເພື່ອໃຫ້ໄດ້ຮັບການເຄືອບ.ວິທີການນີ້ແມ່ນງ່າຍດາຍທີ່ຈະດໍາເນີນການແລະມີຄ່າໃຊ້ຈ່າຍຕ່ໍາ, ແຕ່ການເຄືອບທີ່ຜະລິດມີຂໍ້ບົກຜ່ອງບາງຢ່າງເຊັ່ນ: ຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນຕ່ໍາແລະການແຕກງ່າຍ, ສະນັ້ນມັນບໍ່ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງ.
ປະຕິກິລິຍາອາຍແກັສເຄມີ (CVR):
CVR ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຜະລິດການເຄືອບ SiCໂດຍການນໍາໃຊ້ຝຸ່ນ Si ແລະ SiO2 ເພື່ອສ້າງໄອນ້ໍາ SiO ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງ, ແລະປະຕິກິລິຍາທາງເຄມີຫຼາຍໆຄັ້ງເກີດຂື້ນຢູ່ດ້ານຂອງ substrate ວັດສະດຸ C.ໄດ້ການເຄືອບ SiCການກະກຽມໂດຍວິທີການນີ້ແມ່ນຜູກມັດຢ່າງໃກ້ຊິດກັບ substrate, ແຕ່ອຸນຫະພູມຕິກິຣິຍາແມ່ນສູງກວ່າແລະຄ່າໃຊ້ຈ່າຍແມ່ນສູງກວ່າ.
ການປ່ອຍອາຍພິດທາງເຄມີ (CVD):
ໃນປັດຈຸບັນ, CVD ແມ່ນເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນຕໍໃນການກະກຽມການເຄືອບ SiCຢູ່ເທິງພື້ນຜິວ.ຂະບວນການຕົ້ນຕໍແມ່ນຊຸດຂອງປະຕິກິລິຍາທາງກາຍະພາບແລະເຄມີຂອງອຸປະກອນການ reactant ໄລຍະອາຍແກັສເທິງຫນ້າດິນ substrate, ແລະສຸດທ້າຍການເຄືອບ SiC ໄດ້ຖືກກະກຽມໂດຍການຝາກເທິງພື້ນຜິວ substrate.ການເຄືອບ SiC ທີ່ກະກຽມໂດຍເທກໂນໂລຍີ CVD ແມ່ນຕິດກັນຢ່າງໃກ້ຊິດກັບພື້ນຜິວຂອງ substrate, ເຊິ່ງສາມາດປັບປຸງການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແລະການຕໍ່ຕ້ານ ablative ຂອງວັດສະດຸ substrate ໄດ້, ແຕ່ເວລາການຊຶມເຊື້ອຂອງວິທີການນີ້ແມ່ນຍາວກວ່າ, ແລະອາຍແກັສຕິກິຣິຍາມີສານພິດທີ່ແນ່ນອນ. ອາຍແກັສ.
ເວລາປະກາດ: ເດືອນພະຈິກ-06-2023