SiC ເຄືອບ graphite base

ເປັນຫນຶ່ງໃນອົງປະກອບຫຼັກຂອງອຸປະກອນ MOCVD, ຖານ graphite ແມ່ນຜູ້ໃຫ້ຄວາມຮ້ອນແລະຮ່າງກາຍຂອງ substrate, ເຊິ່ງກໍານົດໂດຍກົງຄວາມເປັນເອກະພາບແລະຄວາມບໍລິສຸດຂອງວັດສະດຸຮູບເງົາ, ດັ່ງນັ້ນຄຸນນະພາບຂອງມັນມີຜົນກະທົບໂດຍກົງກັບການກະກຽມຂອງແຜ່ນ epitaxial, ແລະໃນເວລາດຽວກັນ, ມີການເພີ່ມຂຶ້ນຂອງຈໍານວນຂອງ. ການ​ນໍາ​ໃຊ້​ແລະ​ການ​ປ່ຽນ​ແປງ​ສະ​ພາບ​ການ​ເຮັດ​ວຽກ​, ມັນ​ແມ່ນ​ງ່າຍ​ທີ່​ສຸດ​ທີ່​ຈະ​ໃສ່​, ເປັນ​ຂອງ​ອຸ​ປະ​ໂພກ​ບໍ​ລິ​ໂພກ​.

ເຖິງແມ່ນວ່າ graphite ມີ conductivity ຄວາມຮ້ອນທີ່ດີເລີດແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງ, ມັນມີປະໂຫຍດທີ່ດີເປັນອົງປະກອບພື້ນຖານຂອງອຸປະກອນ MOCVD, ແຕ່ໃນຂະບວນການຜະລິດ, graphite ຈະ corrode ຝຸ່ນເນື່ອງຈາກການຕົກຄ້າງຂອງທາດອາຍຜິດ corrosive ແລະໂລຫະອິນຊີ, ແລະຊີວິດການບໍລິການຂອງພື້ນຖານ graphite ຈະຫຼຸດລົງຢ່າງຫຼວງຫຼາຍ.ໃນເວລາດຽວກັນ, ຝຸ່ນ graphite ຫຼຸດລົງຈະເຮັດໃຫ້ເກີດມົນລະພິດຕໍ່ຊິບ.

ການປະກົດຕົວຂອງເທກໂນໂລຍີການເຄືອບສາມາດສະຫນອງການແກ້ໄຂຜົງພື້ນຜິວ, ເສີມຂະຫຍາຍການນໍາຄວາມຮ້ອນ, ແລະການແຜ່ກະຈາຍຄວາມຮ້ອນເທົ່າທຽມກັນ, ເຊິ່ງໄດ້ກາຍເປັນເຕັກໂນໂລຢີຕົ້ນຕໍເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫານີ້.ຖານ Graphite ໃນອຸປະກອນ MOCVDສະພາບແວດລ້ອມການນໍາໃຊ້, ການເຄືອບພື້ນຜິວ graphite ຄວນຕອບສະຫນອງລັກສະນະດັ່ງຕໍ່ໄປນີ້:

(1) ຖານ graphite ສາມາດຫໍ່ຢ່າງເຕັມສ່ວນ, ແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນແມ່ນດີ, ຖ້າບໍ່ດັ່ງນັ້ນພື້ນຖານ graphite ແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະ corroded ໃນອາຍແກັສ corrosive.

(2) ຄວາມເຂັ້ມແຂງປະສົມປະສານກັບພື້ນຖານ graphite ແມ່ນສູງເພື່ອຮັບປະກັນວ່າການເຄືອບບໍ່ງ່າຍທີ່ຈະຕົກຫຼັງຈາກອຸນຫະພູມສູງແລະອຸນຫະພູມຕ່ໍາຫຼາຍຮອບ.

(3) ມັນມີຄວາມຫມັ້ນຄົງທາງເຄມີທີ່ດີເພື່ອຫຼີກເວັ້ນການຄວາມລົ້ມເຫຼວຂອງການເຄືອບໃນອຸນຫະພູມສູງແລະບັນຍາກາດ corrosive.

未标题-1

SiC ມີຄວາມໄດ້ປຽບຂອງການຕໍ່ຕ້ານ corrosion, ການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານການຊ໊ອກຄວາມຮ້ອນແລະຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງສານເຄມີສູງ, ແລະສາມາດເຮັດວຽກໄດ້ດີໃນບັນຍາກາດ GaN epitaxial.ນອກຈາກນັ້ນ, ຄ່າສໍາປະສິດການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນຂອງ SiC ແຕກຕ່າງຈາກ graphite ຫນ້ອຍຫຼາຍ, ດັ່ງນັ້ນ SiC ເປັນວັດສະດຸທີ່ຕ້ອງການສໍາລັບການເຄືອບດ້ານຂອງພື້ນຖານ graphite.

ໃນປັດຈຸບັນ, SiC ທົ່ວໄປສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນປະເພດ 3C, 4H ແລະ 6H, ແລະການນໍາໃຊ້ SiC ຂອງປະເພດໄປເຊຍກັນແມ່ນແຕກຕ່າງກັນ.ຕົວຢ່າງ, 4H-SiC ສາມາດຜະລິດອຸປະກອນພະລັງງານສູງ;6H-SiC ແມ່ນຄວາມຫມັ້ນຄົງທີ່ສຸດແລະສາມາດຜະລິດອຸປະກອນໄຟຟ້າ photoelectric;ເນື່ອງຈາກໂຄງສ້າງທີ່ຄ້າຍຄືກັນກັບ GaN, 3C-SiC ສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ເພື່ອຜະລິດຊັ້ນ epitaxial GaN ແລະຜະລິດອຸປະກອນ SiC-GaN RF.3C-SiC ຍັງເປັນທີ່ຮູ້ຈັກທົ່ວໄປໃນນາມβ-SiC, ແລະການນໍາໃຊ້ທີ່ສໍາຄັນຂອງβ-SiC ເປັນ​ຮູບ​ເງົາ​ແລະ​ອຸ​ປະ​ກອນ​ການ​ເຄືອບ​, ສະ​ນັ້ນ​β-SiC ປະຈຸບັນແມ່ນວັດສະດຸຕົ້ນຕໍສໍາລັບການເຄືອບ.


ເວລາປະກາດ: ເດືອນພະຈິກ-06-2023