ຂະບວນການເຄືອບ SiC ສໍາລັບພື້ນຖານ graphite SiC Coated Graphite Carriers

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ເປັນຜູ້ສະຫນອງຊັ້ນນໍາຂອງເຊມິຄອນດັກເຕີເຊລາມິກທີ່ກ້າວຫນ້າ.ຜະລິດຕະພັນຕົ້ນຕໍຂອງພວກເຮົາປະກອບມີ: ແຜ່ນ silicon carbide etched, ລົດພ່ວງເຮືອ silicon carbide, ເຮືອ silicon carbide wafer (PV & Semiconductor), ທໍ່ furnace silicon carbide, paddles silicon carbide cantilever, silicon carbide chuck, silicon carbide beams, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບ CVD SiC ການເຄືອບ TaC.
ຜະລິດຕະພັນສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະ photovoltaic, ເຊັ່ນ: ການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ, epitaxy, etching, ການຫຸ້ມຫໍ່, ການເຄືອບແລະອຸປະກອນ furnace ການແຜ່ກະຈາຍ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດ

ພວກເຮົາຮັກສາຄວາມທົນທານຢ່າງໃກ້ຊິດຫຼາຍໃນເວລາທີ່ສະຫມັກຂໍເອົາການເຄືອບ SiC, ການນໍາໃຊ້ເຄື່ອງຈັກທີ່ມີຄວາມແມ່ນຍໍາສູງເພື່ອຮັບປະກັນ profile susceptor ເປັນເອກະພາບ.ພວກເຮົາຍັງຜະລິດວັດສະດຸທີ່ມີຄຸນສົມບັດຕ້ານໄຟຟ້າທີ່ເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນລະບົບຄວາມຮ້ອນ inductively.ອົງປະກອບສໍາເລັດຮູບທັງຫມົດມາພ້ອມກັບໃບຢັ້ງຢືນຄວາມບໍລິສຸດແລະຂະຫນາດ.

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງການເຄືອບ SiCຂະບວນການບໍລິການໂດຍວິທີການ CVD ເທິງຫນ້າດິນຂອງ graphite, ceramics ແລະວັດສະດຸອື່ນໆ, ເພື່ອໃຫ້ທາດອາຍຜິດພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນ react ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂມເລກຸນທີ່ຝາກໄວ້ເທິງຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບ, ປະກອບເປັນຊັ້ນປ້ອງກັນ SIC.SIC ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນແມ່ນຜູກມັດຢ່າງແຫນ້ນຫນາກັບພື້ນຖານ graphite, ໃຫ້ພື້ນຖານ graphite ຄຸນສົມບັດພິເສດ, ດັ່ງນັ້ນຈຶ່ງເຮັດໃຫ້ພື້ນຜິວຂອງ graphite ຫນາແຫນ້ນ, Porosity-free, ທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງ, ການຕໍ່ຕ້ານ corrosion ແລະຕ້ານການຜຸພັງ.

gf (1)

ຂະບວນການ CVD ສະຫນອງຄວາມບໍລິສຸດສູງທີ່ສຸດແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນທາງທິດສະດີຂອງການເຄືອບ SiCໂດຍບໍ່ມີການ porosity.ຍິ່ງໄປກວ່ານັ້ນ, ເນື່ອງຈາກວ່າຊິລິໂຄນ carbide ແຂງຫຼາຍ, ມັນສາມາດຂັດກັບຫນ້າດິນທີ່ຄ້າຍຄືກະຈົກ.ການເຄືອບ CVD silicon carbide (SiC).ສົ່ງຂໍ້ໄດ້ປຽບຫຼາຍຢ່າງລວມທັງພື້ນຜິວທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ການສວມໃສ່ທີ່ສຸດ.ເນື່ອງຈາກຜະລິດຕະພັນເຄືອບມີປະສິດຕິພາບທີ່ດີໃນສະພາບສູນຍາກາດແລະອຸນຫະພູມສູງ, ພວກມັນເຫມາະສົມສໍາລັບການນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລະສະພາບແວດລ້ອມທີ່ສະອາດທີ່ສຸດ.ພວກເຮົາຍັງສະຫນອງຜະລິດຕະພັນ pyrolytic graphite (PG).

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ:
ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຍັງດີຫຼາຍເມື່ອອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 C.
2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໂດຍການປ່ອຍອາຍພິດເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.
3. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກດີ.
4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

ຫຼັກ-05

ຫຼັກ-04

ຫຼັກ-03

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC

SiC-CVD
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	(g/cc)	3.21
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Flexural	(Mpa)	470
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ	(10-6/K)	4
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ການເຄືອບ CVD silicon carbide ໄດ້ຖືກນໍາໃຊ້ໃນອຸດສາຫະກໍາ semiconductor ແລ້ວ, ເຊັ່ນ: ຖາດ MOCVD, RTP ແລະ oxide etching chamber ນັບຕັ້ງແຕ່ silicon nitride ມີຄວາມຕ້ານທານຄວາມຮ້ອນທີ່ຍິ່ງໃຫຍ່ແລະສາມາດທົນທານຕໍ່ plasma ພະລັງງານສູງ.
-Silicon carbide ຖືກນໍາໃຊ້ຢ່າງກວ້າງຂວາງໃນ semiconductor ແລະເຄືອບ.

ຄໍາຮ້ອງສະຫມັກ

ຄວາມສາມາດໃນການສະຫນອງ:
10,000 ຊິ້ນ / ຊິ້ນຕໍ່ເດືອນ
ການຫຸ້ມຫໍ່ & ການຈັດສົ່ງ:
ການຫຸ້ມຫໍ່: ມາດຕະຖານແລະການຫຸ້ມຫໍ່ທີ່ເຂັ້ມແຂງ
ຖົງ Poly + ກ່ອງ + Carton + Pallet
ພອດ:
Ningbo/Shenzhen/Shanghai
ເວລານໍາ: