ຄຸນສົມບັດຜະລິດຕະພັນ SiC
ອຸນຫະພູມສູງແລະທົນທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ, ປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງ wafer ແລະຜົນຜະລິດ
SiC ຫມາຍເຖິງ silicon carbide.Silicon carbide (SiC) ແມ່ນເຮັດດ້ວຍດິນຊາຍ quartz, coke ແລະວັດຖຸດິບອື່ນໆໂດຍຜ່ານການ melting furnace ອຸນຫະພູມສູງ.ການຜະລິດອຸດສາຫະກໍາໃນປະຈຸບັນຂອງ silicon carbide ມີສອງຊະນິດ, ສີດໍາ silicon carbide ແລະສີຂຽວ silicon carbide.ທັງສອງແມ່ນໄປເຊຍກັນ hexagonal, ກາວິທັດສະເພາະຂອງ 3.21g / cm3, micro hardness ຂອງ 2840 ~ 3320kg / mm2.
ຢ່າງຫນ້ອຍ 70 ຊະນິດຂອງ crystalline silicon carbide, ເນື່ອງຈາກແຮງໂນ້ມຖ່ວງຕ່ໍາ 3.21g / cm3 ແລະຄວາມທົນທານຂອງອຸນຫະພູມສູງ, ມັນເຫມາະສົມສໍາລັບ bearings ຫຼືວັດຖຸດິບ furnace ອຸນຫະພູມສູງ.ຢູ່ທີ່ຄວາມກົດດັນໃດໆບໍ່ສາມາດບັນລຸໄດ້, ແລະມີກິດຈະກໍາທາງເຄມີຕ່ໍາຫຼາຍ.
ໃນເວລາດຽວກັນ, ປະຊາຊົນຈໍານວນຫຼາຍໄດ້ພະຍາຍາມທົດແທນຊິລິໂຄນດ້ວຍ silicon carbide ເນື່ອງຈາກການນໍາຄວາມຮ້ອນສູງ, ຄວາມເຂັ້ມແຂງພາກສະຫນາມໄຟຟ້າ crush ສູງແລະຄວາມຫນາແຫນ້ນຂອງປະຈຸບັນສູງ.ບໍ່ດົນມານີ້, ໃນຄໍາຮ້ອງສະຫມັກຂອງ semiconductor ອົງປະກອບພະລັງງານສູງ.ໃນຄວາມເປັນຈິງ, substrate silicon carbide ໃນ conductivity ຄວາມຮ້ອນ, ຫຼາຍກ່ວາ 10 ເທົ່າຂອງ substrate sapphire, ສະນັ້ນການນໍາໃຊ້ຂອງ silicon carbide substrate LED ອົງປະກອບ, ມີ conductivity ທີ່ດີແລະຄວາມຮ້ອນ, ຂ້ອນຂ້າງເອື້ອອໍານວຍໃຫ້ແກ່ການຜະລິດຂອງ LED ພະລັງງານສູງ.
ຕົວກໍານົດການດ້ານວິຊາການ
