Porous tantalum carbide, ອຸປະກອນການພາກສະຫນາມຮ້ອນສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນ SiC

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Porous tantalum carbide ສ່ວນໃຫຍ່ແມ່ນໃຊ້ສໍາລັບການກອງອົງປະກອບໄລຍະອາຍແກັສ, ປັບ gradient ອຸນຫະພູມທ້ອງຖິ່ນ, ທິດທາງການໄຫຼຂອງວັດສະດຸ, ການຄວບຄຸມການຮົ່ວໄຫຼ, ແລະອື່ນໆ. ມັນສາມາດຖືກນໍາໃຊ້ກັບການເຄືອບ tantalum carbide ແຂງອື່ນ (ຫນາແຫນ້ນ) ຫຼືການເຄືອບ tantalum carbide ຈາກ Semicera Technology ເພື່ອສ້າງອົງປະກອບທ້ອງຖິ່ນ. ມີການນໍາໃຊ້ການໄຫຼທີ່ແຕກຕ່າງກັນ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

Semicera Semicera ສະຫນອງການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ພິເສດສໍາລັບອົງປະກອບຕ່າງໆແລະຜູ້ໃຫ້ບໍລິການ.ຂະບວນການເຄືອບຊັ້ນນໍາຂອງ Semicera Semicera ຊ່ວຍໃຫ້ການເຄືອບ tantalum carbide (TaC) ບັນລຸຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ຄວາມຫມັ້ນຄົງຂອງອຸນຫະພູມສູງແລະຄວາມທົນທານຕໍ່ສານເຄມີສູງ, ການປັບປຸງຄຸນນະພາບຜະລິດຕະພັນຂອງໄປເຊຍກັນ SIC / GAN ແລະຊັ້ນ EPI (ຕົວຍຶດ TaC ເຄືອບ Graphite), ແລະຍືດອາຍຸຂອງອົງປະກອບເຕົາປະຕິກອນທີ່ສໍາຄັນ.ການນໍາໃຊ້ການເຄືອບ tantalum carbide TaC ແມ່ນເພື່ອແກ້ໄຂບັນຫາແຂບແລະປັບປຸງຄຸນນະພາບຂອງການເຕີບໂຕຂອງຜລຶກ, ແລະ Semicera Semicera ໄດ້ແກ້ໄຂເຕັກໂນໂລຢີການເຄືອບ tantalum carbide (CVD), ກ້າວໄປສູ່ລະດັບສາກົນທີ່ກ້າວຫນ້າ.

ຫຼັງຈາກປີຂອງການພັດທະນາ, Semicera ໄດ້ເອົາຊະນະເຕັກໂນໂລຢີຂອງCVD TaCກັບຄວາມພະຍາຍາມຮ່ວມກັນຂອງພະແນກ R&D.ຂໍ້ບົກພ່ອງແມ່ນງ່າຍທີ່ຈະເກີດຂື້ນໃນຂະບວນການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ SiC wafers, ແຕ່ຫຼັງຈາກການນໍາໃຊ້ທາຄ, ຄວາມແຕກຕ່າງແມ່ນສໍາຄັນ.ຂ້າງລຸ່ມນີ້ແມ່ນການປຽບທຽບຂອງ wafers ທີ່ມີແລະບໍ່ມີ TaC, ເຊັ່ນດຽວກັນກັບສ່ວນ Simicera ສໍາລັບການເຕີບໃຫຍ່ຂອງຜລຶກດຽວ.

ສ່ວນ Tac ສໍາລັບການຂະຫຍາຍຕົວໄປເຊຍກັນດຽວ

Antiwear tantalum carbide coating_ ປົກປ້ອງອຸປະກອນຈາກການສວມໃສ່ແລະການກັດກ່ອນຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ

Graphite ກັບວົງ TaC ເຄືອບ

ມີ ແລະບໍ່ມີ TaC

ຫຼັງຈາກໃຊ້ TaC (ຂວາ)

ນອກຈາກນັ້ນ, ຊີວິດການບໍລິການຂອງຜະລິດຕະພັນການເຄືອບ TaC ຂອງ Semicera ແມ່ນຍາວກວ່າແລະທົນທານຕໍ່ອຸນຫະພູມສູງກ່ວາການເຄືອບ SiC.ຫຼັງຈາກຂໍ້ມູນການວັດແທກໃນຫ້ອງທົດລອງເປັນເວລາດົນ, TaC ຂອງພວກເຮົາສາມາດເຮັດວຽກເປັນເວລາດົນນານຢູ່ທີ່ສູງສຸດ 2300 ອົງສາເຊນຊຽດ.ຕໍ່ໄປນີ້ແມ່ນບາງຕົວຢ່າງຂອງພວກເຮົາ: