epitaxy GaN ທີ່ອີງໃສ່ Silicon

ຮູບພາບທີ່ໂດດເດັ່ນ GaN epitaxy ທີ່ອີງໃສ່ Silicon

ລາຍລະອຽດສັ້ນ:

Semicera Energy Technology Co., Ltd. ເປັນຜູ້ຜະລິດຊັ້ນນໍາຂອງເຊລາມິກ semiconductor ກ້າວຫນ້າທາງດ້ານແລະຜູ້ຜະລິດດຽວໃນປະເທດຈີນທີ່ສາມາດສະຫນອງ silicon carbide ceramics ທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງພ້ອມໆກັນ (ໂດຍສະເພາະ.Recrystallized SiC) ແລະການເຄືອບ CVD SiC.ນອກຈາກນັ້ນ, ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາຍັງຫມັ້ນສັນຍາກັບຂົງເຂດເຊລາມິກເຊັ່ນ: ອາລູມິນຽມ, ອາລູມິນຽມ nitride, zirconia, ແລະ silicon nitride, ແລະອື່ນໆ.

ສົ່ງອີເມວຫາພວກເຮົາ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ປ້າຍກຳກັບສິນຄ້າ

ລາຍລະອຽດຜະລິດຕະພັນ

ບໍລິສັດຂອງພວກເຮົາສະຫນອງການເຄືອບ SiCຂະບວນການບໍລິການໂດຍວິທີການ CVD ເທິງຫນ້າດິນຂອງ graphite, ceramics ແລະວັດສະດຸອື່ນໆ, ເພື່ອໃຫ້ທາດອາຍຜິດພິເສດທີ່ມີຄາບອນແລະຊິລິຄອນ react ຢູ່ໃນອຸນຫະພູມສູງເພື່ອໃຫ້ໄດ້ໂມເລກຸນ SiC ຄວາມບໍລິສຸດສູງ, ໂມເລກຸນທີ່ຝາກໄວ້ເທິງຫນ້າດິນຂອງວັດສະດຸເຄືອບ, ກອບເປັນຈໍານວນ.ຊັ້ນປ້ອງກັນ SIC.

ຄຸນນະສົມບັດຕົ້ນຕໍ:

1. ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງຂອງອຸນຫະພູມສູງ:

ການຕໍ່ຕ້ານການຜຸພັງແມ່ນຍັງດີຫຼາຍເມື່ອອຸນຫະພູມສູງເຖິງ 1600 C.

2. ຄວາມບໍລິສຸດສູງ: ເຮັດໄດ້ໂດຍການປ່ອຍອາຍແກັສເຄມີພາຍໃຕ້ສະພາບການ chlorination ອຸນຫະພູມສູງ.

3. ການຕໍ່ຕ້ານການເຊາະເຈື່ອນ: ຄວາມແຂງສູງ, ພື້ນຜິວຫນາແຫນ້ນ, ອະນຸພາກດີ.

4. ຄວາມຕ້ານທານຕໍ່ການກັດກ່ອນ: ອາຊິດ, ດ່າງ, ເກືອແລະທາດປະສົມອິນຊີ.

ຂໍ້ມູນຈໍາເພາະຕົ້ນຕໍຂອງການເຄືອບ CVD-SIC

ຄຸນສົມບັດ SiC-CVD
ໂຄງປະກອບການໄປເຊຍກັນ	ໄລຍະ FCC β
ຄວາມຫນາແຫນ້ນ	g/ຊມ ³	3.21
ຄວາມແຂງ	ຄວາມແຂງຂອງ Vickers	2500
ຂະໜາດເມັດພືດ	ມມ	2~10
ຄວາມບໍລິສຸດທາງເຄມີ	%	99.99995
ຄວາມອາດສາມາດຄວາມຮ້ອນ	J·kg-1 ·K-1	640
ອຸນຫະພູມ sublimation	℃	2700
ຄວາມເຂັ້ມແຂງ Felexural	MPa (RT 4 ຈຸດ)	415
ໂມດູລຂອງໜຸ່ມ	Gpa (4pt ງໍ, 1300℃)	430
ການຂະຫຍາຍຄວາມຮ້ອນ (CTE)	10-6K-1	4.5
ການນໍາຄວາມຮ້ອນ	(W/mK)	300