ຊັ້ນ oxide ຄວາມຮ້ອນຂອງຊິລິໂຄນ wafer ເປັນຊັ້ນອອກຊິລິໂຄນຫຼືຊັ້ນ silica ສ້າງຕັ້ງຂຶ້ນໃນພື້ນຜິວເປົ່າຂອງ silicon wafer ພາຍໃຕ້ສະພາບອຸນຫະພູມສູງທີ່ມີສານ oxidizing.ຊັ້ນ oxide ຄວາມຮ້ອນຂອງຊິລິໂຄນ wafer ປົກກະຕິແລ້ວແມ່ນປູກຢູ່ໃນ furnace ທໍ່ອອກຕາມລວງນອນ, ແລະລະດັບອຸນຫະພູມການຂະຫຍາຍຕົວໂດຍທົ່ວໄປແມ່ນ 900 ° C ~ 1200 ° C, ແລະມີສອງຮູບແບບການຂະຫຍາຍຕົວຂອງ "ການຜຸພັງຊຸ່ມ" ແລະ "ການຜຸພັງແຫ້ງ".ຊັ້ນ oxide ຄວາມຮ້ອນແມ່ນຊັ້ນ oxide "ທີ່ເຕີບໃຫຍ່" ທີ່ມີຄວາມເປັນເອກະພາບສູງແລະມີຄວາມເຂັ້ມແຂງ dielectric ສູງກວ່າຊັ້ນ oxide ຝາກໄວ້ CVD.ຊັ້ນ oxide ຄວາມຮ້ອນແມ່ນຊັ້ນ dielectric ທີ່ດີເລີດເປັນ insulator.ໃນອຸປະກອນທີ່ໃຊ້ຊິລິຄອນຫຼາຍ, ຊັ້ນ oxide ຄວາມຮ້ອນມີບົດບາດສໍາຄັນເປັນຊັ້ນສະກັດກັ້ນ doping ແລະ dielectric ດ້ານ.
ເຄັດລັບ: ປະເພດ Oxidation
1. ການຜຸພັງແຫ້ງ
ຊິລິໂຄນເຮັດປະຕິກິລິຍາກັບອົກຊີເຈນ, ແລະຊັ້ນອອກຊິເຈນເຄື່ອນໄປຫາຊັ້ນພື້ນຖານ.ການຜຸພັງແຫ້ງຕ້ອງໄດ້ຮັບການປະຕິບັດຢູ່ໃນອຸນຫະພູມ 850 ຫາ 1200 ° C, ແລະອັດຕາການເຕີບໂຕແມ່ນຕໍ່າ, ເຊິ່ງສາມາດນໍາໃຊ້ສໍາລັບການເຕີບໂຕຂອງປະຕູຮົ້ວຂອງ insulation MOS.ເມື່ອຕ້ອງການຊັ້ນຊິລິໂຄນອອກໄຊທີ່ມີຄຸນະພາບສູງ, ບາງໆທີ່ສຸດ, ການຜຸພັງແຫ້ງແມ່ນມັກຫຼາຍກວ່າການຜຸພັງປຽກ.
ຄວາມສາມາດໃນການຜຸພັງແຫ້ງ: 15nm ~ 300nm (150A ~ 3000A)
2. ການຜຸພັງປຽກ
ວິທີການນີ້ໃຊ້ປະສົມຂອງໄຮໂດເຈນແລະອົກຊີເຈນທີ່ມີຄວາມບໍລິສຸດສູງເພື່ອເຜົາໄຫມ້ຢູ່ທີ່ ~ 1000 ° C, ດັ່ງນັ້ນການຜະລິດໄອນ້ໍາເພື່ອສ້າງເປັນຊັ້ນອອກຊິເຈນ.ເຖິງແມ່ນວ່າການຜຸພັງປຽກຊຸ່ມບໍ່ສາມາດຜະລິດຊັ້ນຜຸພັງທີ່ມີຄຸນນະພາບສູງເທົ່າກັບການຜຸພັງແຫ້ງ, ແຕ່ພຽງພໍທີ່ຈະໃຊ້ເປັນເຂດໂດດດ່ຽວ, ເມື່ອປຽບທຽບກັບການຜຸພັງແຫ້ງມີຂໍ້ດີທີ່ຊັດເຈນແມ່ນວ່າມັນມີອັດຕາການເຕີບໂຕສູງກວ່າ.
ຄວາມອາດສາມາດການຜຸພັງປຽກ: 50nm ~ 15µm (500A ~ 15µm)
3. Dry method - wet method - dry method
ໃນວິທີການນີ້, ອົກຊີເຈນທີ່ບໍລິສຸດຖືກປ່ອຍອອກມາໃນເຕົາຜື່ນຜຸພັງໃນຂັ້ນຕອນເບື້ອງຕົ້ນ, ໄຮໂດເຈນຖືກເພີ່ມຢູ່ເຄິ່ງກາງຂອງການຜຸພັງ, ແລະໄຮໂດເຈນຖືກເກັບໄວ້ໃນທີ່ສຸດເພື່ອສືບຕໍ່ການຜຸພັງດ້ວຍອົກຊີແຫ້ງທີ່ບໍລິສຸດເພື່ອສ້າງໂຄງສ້າງການຜຸພັງທີ່ຫນາແຫນ້ນກວ່າ. ຂະບວນການຜຸພັງປຽກທົ່ວໄປໃນຮູບແບບຂອງອາຍນ້ໍາ.
4. TEOS oxidation
ເຕັກນິກການອົກຊີເຈນ | oxidation ປຽກ ຫຼື oxidation ແຫ້ງ |
ເສັ້ນຜ່າສູນກາງ | 2″/3″/4″/6″/8″/12″ |
ຄວາມຫນາຂອງອົກຊີ | 100 Å ~ 15µm |
ຄວາມທົນທານ | +/- 5% |
ດ້ານ | ການຜຸພັງດ້ານດຽວ (SSO) / ການຜຸພັງສອງດ້ານ (DSO) |
ເຕົາ | ເຕົາທໍ່ແນວນອນ |
ອາຍແກັສ | ອາຍແກັສໄຮໂດເຈນແລະອົກຊີເຈນ |
ອຸນຫະພູມ | 900 ℃ ~ 1200 ℃ |
ດັດຊະນີສະທ້ອນແສງ | 1.456 |